Исследовалось влияние дозы, энергии и температуры имплантации ионов эрбия и соимплантации ионов кислорода на концентрационные профили Er при твердофазной эпитаксиальной кристаллизации аморфизованного слоя кремния и параметры сегрегационной модели - ширину переходного слоя L и координатную зависимость коэффициента сегрегации k(x). Увеличение дозы, уменьшение энергии и температуры имплантации Er сопровождается уменьшением ширины L и увеличением скорости роста коэффициента сегрегации k на начальном этапе твердофазной эпитаксиальной кристаллизации, что объясняется повышением дефектности аморфизованного имплантированного слоя. Дополнительная имплантация кислорода приводит к аналогичным изменениям значений L и k(x), что связывается с образованием комплексов Er-O.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.