"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Проводимость тонких нанокристаллических пленок кремния
Голубев В.Г.1, Морозова Л.Е.1, Певцов А.Б.1, Феоктистов Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 мая 1998 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

Показано, что тонкие (200--250 Angstrem) гидрогенизированные нанокристаллические пленки кремния обладают низкой продольной проводимостью, сравнимой с проводимостью нелегированного аморфного кремния, и высокой поперечной проводимостью. Такие пленки могут быть использованы в качестве легированных слоев при создании барьерных структур с малым поверхностным растеканием тока. Установлено, что проводимость пленок уменьшается на 8--10 порядков в направлении вдоль слоя при изменении толщины от 1500 до 200 Angstrem. Наблюдаемые зависимости проводимости от толщины интерпретированы в рамках теории протекания разрушением перколяционного кластера из нанокристаллитов при уменьшении толщины слоя.
  • Аморфные полупроводники и приборы на их основе, под. ред. Й. Хамакавы (М., Металлургия, 1986)
  • N.I. Ivanova, N.A. Feoktistov, A.N. Chaika, A.P. Onokhov, A.B. Pevtsov. Mol. Cryst. Liq. Cryst., 282, 315 (1996)
  • G.Y. Hu, R.F. O'Connel, Y.L. He, M.B. Yu. J. Appl. Phys., 78, 3945 (1995)
  • T. Hamasaki, H. Kurata, M. Hirose, Y. Osaka. Appl. Phys. Lett., 37, 1084 (1980)
  • X. Liu, S. Tong, L. Wang, G. Chen, X. Bao. J. Appl. Phys., 78, 6143 (1995)
  • A.B. Pevtsov, V.Yu. Davydov, N.A. Feoktistov, V.G. Karpov. Phys. Rev. B, 52, 955 (1995)
  • В.Г. Голубев, В.Ю. Давыдов, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 39, 1348 (1997)
  • R. Tsu, J. Gonsalez-Hernandez, S.S. Chao, S.C. Lee, K. Tanaka. Appl. Phys. Lett., 40, 534 (1982)
  • Дж. Займан. Модели беспорядка (М., Мир, 1982)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979) гл. 9, с. 276
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.