"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Перезарядка центров с глубокими уровнями и отрицательная остаточная фотопроводимость в селективно легированных гетероструктурах AlGaAs / GaAs
Борисов В.И.1, Сабликов В.А.1, Борисова И.В.1, Чмиль А.И.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 14 августа 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

Исследована кинетика релаксации фотопроводимости селективно легированных гетероструктур AlGaAs / GaAs, связанная с перезарядкой структурных дефектов с глубокими уровнями (EL2- и DX-центров). Установлено, что фотоиндуцированная перезарядка глубоких центров приводит к накоплению на них как положительного, так и отрицательного зарядов и таким образом вызывает положительную и отрицательную остаточную фотопроводимость. Положительные и отрицательные заряды накапливаются в разных частях гетероструктуры и характеризуются разными временами релаксации, по-разному зависящими от температуры. С этим связан немонотонный характер релаксации остаточной фотопроводимости и немонотонные температурные зависимости. Выяснено, что презарядка EL2-центров приводит к отрицательной остаточной фотопроводимости в области температур 180/300 K. При температурах ниже 180 K наблюдается отрицательная фотопроводимость, связанная с возбужденными состояниями DX-центров.
  • T. Hariu, T. Sato, H. Komori, K. Matsushita. J. Appl. Phys., 61, 1068 (1987)
  • A. Kitagawa, A. Usami, T. Wada, Yu. Tokuda, H. Kano. J. Appl. Phys., 61, 1215 (1987)
  • P.M. Mooney, T.N. Theis. Comm. Cond. Matt. Phys., 16, 167 (1992)
  • M.J. Chou, D.C. Tsui, G. Weimann. Appl. Phys. Lett., 47, 609 (1985)
  • H. Peterson, H.J. Grimmeiss, A.L. Powell, C.C. Button, J.S. Roberts, P.I. Rockett. J. Appl. Phys., 74, 5596 (1993)
  • A.J. Shields, J.L. Osborne, M.J. Simmons, D.A. Ritchie, M. Pepper. Semicond. Sci. Technol., 4, 890 (1996)
  • P. Silverberg, P. Oming, L. Samuelson. Appl. Phys. Lett., 52, 1689 (1988)
  • М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991). [Пер. с англ.: M. Shur. GaAs Devices and Circuits (N. Y.--London, Plenum Press, 1987)]
  • J.S. Blakemore. J. Phys. Chem. Sol., 49, 627 (1988)
  • L. Dobaczewski, P. Kaczor. Phys. Rev. Lett., 66, 68 (1991)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.