"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Проявление процесса денейтрализации подвижного заряда в SiO2 при спектроскопии границы раздела кремний--окисел
Дмитриев С.Г.1, Маркин Ю.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 16 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1998 г.

Полное число подвижных ионов в пленке окисла в МОП структуре на основе Si определялось традиционными методами вольт-фарадных и динамических вольт-амперных характеристик. Определена доля ионов, находящихся в нейтральном состоянии у границы раздела Si--SiO2. При спектроскопии границы раздела обнаружен пик в эффективной плотности пограничных состояний. Показано, что число состояний в пике плотности соответствует количеству нейтрализованных частиц. Обсуждается механизм нейтрализации подвижного заряда ионов.
  • А.П. Барабон, В.В. Балавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO-=SUB=-2-=/SUB=- на кремнии (Л., ЛГУ, 1988)
  • В.Н. Вертопрахов, Б.М. Кучумов, Е.Г. Сальман. Строение и свойства структур Si--SiO-=SUB=-2-=/SUB=---M (Новосибирск, Наука, 1981)
  • Ю.А. Гороховатский, Г.А. Бордовский. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков (М., Наука, 1991)
  • B.R. Singh, K. Singh. Microelectronics and Reliability, 15, 385 (1976)
  • Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
  • E. Rosencher, R. Coppard. J. Appl. Phys., 55, 971 (1984)
  • M.W. Hillen, D.G. Hemmes. Sol. St. Electron., 24, 773 (1981)
  • J.G. Hwu, J.Z. Hwang, Y.L. Chiou. Thin Sol. Films., 125, 17 (1985)
  • В.В. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.В. Федорович. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур (М., Радио и связь, 1985)
  • T. Hino, K. Yamashita. J. Appl. Phys., 50, 4879 (1979)
  • T.W. Hickmott. J. Appl. Phys., 46, 2583 (1975)
  • P.K. Nauta, M.W. Hillen. J. Appl. Phys., 49, 2862 (1978)
  • M.R. Boudry, J.P. Stagg. J. Appl. Phys., 50, 942 (1979)
  • С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. ФТП, 30, 1231 (1996)
  • А.Г. Ждан, Ю.В. Маркин. ФТП, 28, 756 (1994)
  • В.А. Гергель, Р.А. Сурис. ЖЭТФ, 84, 719 (1983)
  • J.P. Stagg, M.R. Boudry. J. Appl. Phys., 52, 885 (1981)
  • G. Greeuw, J.F. Verwey. Sol. St. Electron., 28, 509 (1985)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.