Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Макроскопические ионные ловушки на границе раздела кремний--окисел

Дмитриев С.Г.¹, Маркин Ю.В.¹

¹Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия

Поступила в редакцию: 28 апреля 1998 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Кинетика дрейфа подвижного заряда в пленках SiO₂, его захват на ионные ловушки, локализованные на границе раздела Si-SiO₂, и эмиссия ионов из этих ловушек исследовались с помощью измерений вольтъемкостных, динамических вольт-амперных и токов термостимулированной деполяризации диэлектрика. Компоненты (пики) токов, связанных с эмиссией захваченных на границе раздела частиц при термополевых воздействиях, выделены в явном виде. Показано, что заряд поверхностных ионов в основном нейтрализован электронами Si, а полевая зависимость токов эмиссии ионов характеризуется аномальным эффектом Шоттки, связанным с раскрытием потенциала ионных ловушек внешним полем. Обсуждается связь этих ловушек с неоднородностями потенциала - потенциальными ямами для подвижных частиц на рассматриваемой границе раздела. Отмечено, что подвижные ионы в диэлектрике могут быть использованы для диагностики неоднородностей потенциала границы раздела.

А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO₂ на кремнии (Л., Изд-во ЛГУ, 1988)
В.Н. Вертопрахов, Б.М. Кучумов, Е.Г. Сальман. Строение и свойства структур Si--SiO₂--M (Новосибирск, Наука, Сиб. отд-ние, 1981)
T.W. Hickmott. J. Appl. Phys., 46, 2583 (1975)
P.K. Nauta, M.W. Hillen. J. Appl. Phys., 49, 2862 (1978)
M.R. Boudry, J.P. Stagg. J. Appl. Phys., 50, 942 (1979)
J.P. Stagg, M.R. Boudry. J. Appl. Phys., 52, 885 (1981)
G. Greeuw, J.F. Verwey. Sol. St. Electron., 28, 509 (1985)
A.G. Tangena, N.F. de Rooij, J. Middelhoek. J. Appl. Phys., 49, 5576 (1978)
C. Nylander, M. Armgarth, Ch. Svenson. J. Appl. Phys., 56, 1177 (1984)
T. Hino, K. Yamashita. J. Appl. Phys., 50, 4879 (1979)
J.G. Hwu, J.Z. Hwang, Y.L. Chiou. Thin Sol. Films, 125, 17 (1985)
С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. ФТП, 30, 1231 (1996)
A.G. Tangena, J. Middelhoek, N.F. de Rooij. J. Appl. Phys., 49, 2876 (1978)
G. Greeuw, J.F. Verwey. J. Appl. Phys., 56, 2218 (1984)
C. Choquet, C. Plossu, M. Berenguer, B. Balland, G. Barbottin. Thin Sol. Films, 167, 45 (1988)
А.Г. Ждан, Ю.В. Маркин. ФТП, 28, 756 (1994)
С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
M.W. Hillen, G. Greeuw, J.F. Verwey. J. Appl. Phys., 50, 4834 (1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель