"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Возникновение отрицательного сопротивления в структурах на основе p-n-перехода в СВЧ поле
Усанов Д.А.1, Скрипаль А.В.1, Угрюмова Н.В.1
1Саратовский государственный университет, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 15 сентября 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.

Приведены результаты теоретических и экспериментальных исследований эффекта возникновения отрицательного дифференциального сопротивления диодных структур на основе p-n-перехода при воздействии на них высокого уровня СВЧ мощности. При теоретическом анализе влияния высокого уровня СВЧ мощности на вид вольт-амперной характеристики диода учитывается изменение постоянной составляющей тока, протекающего через p-n-структуру, вследствие разогрева свободных носителей заряда и детекторного эффекта.
  • А.И. Вейнгер, А.Г. Парицкий, Э.А. Акопян, Н.А. Дадамирзаев. ФТП, 9, 216 (1975)
  • C.T. Sah, R.N. Noyse, W. Shockley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
  • Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 22, 2001 (1988)
  • Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 26, 1041 (1992)
  • В.Г. Виненко, С.В. Красовский, Д.А. Усанов. Электрон. техн., сер. 1, Электроника СВЧ, 4, 38 (1987)
  • К.С. Чэмплин, Д.Б. Армстронг, П.Д. Гандерсон. ТИИЭР, 52, 720 (1964)
  • В. Денис, Ж. Канцлерис, З. Мартунас. В сб.: Тепловые электроны, под ред. Ю. Пожелы (Вильнюс, Мокслас, 1983)
  • Г.И. Веселов, Е.Н. Егоров, Ю.Н. Алехин и др. В сб.: Микроэлектронные устройства СВЧ, под ред. Г.И. Веселова (М., Высш. шк., 1988)
  • S. Basu, S.A. Maas, T. Itoh. IEEE Microwave and Guided Lett., 5, 293 (1995)
  • И.М. Викулин, В.И. Стафеев. Физика полупроводниковых приборов (М., Радио и связь, 1990)
  • Дж. Хелзайн. Пассивные и активные цепи СВЧ (М., Радио и связь, 1981)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.