"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние внутренних механических напряжений на характеристики светодиодов из арсенида галлия
Сидоров В.Г.1, Сидоров Д.В.1, Соколов В.И.2
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.

Проведено систематическое исследование влияния внутренних механических напряжений на параметры светодиодов из арсенида галлия. Светоизлучающие структуры выращивались методом жидкофазной эпитаксии из ограниченного объема раствора--расплава GaAs в Ga. Раствор--расплав легировался кремнием или кремнием и оловом. Показано, что величина и знак внутренних механических напряжений в эпитаксиальном слое определяються концентрацией примеси в растворе--расплаве. Светодиоды, изготовленные из эпитаксиальных структур с минимальными внутренними механическими напряжениями, имеют максимальную квантовую эффективность и наименьшую скорость деградации параметров. Предложена модель перестройки дефектной структуры арсенида галлия, описывающая наблюдаемые явления.
  • В.Л. Королев, В.Г. Сидоров. ФТП, 22, 1827 (1988)
  • Н.Д. Василенко, О.К. Городничеков, И.Е. Марончук, Э.Е. Марончук. ЖТФ, 50, 1355 (1980)
  • W.G. Spitzer, M. Panish. J. Appl. Phys., 40, 4200 (1969)
  • А.Г. Хачатурян. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов (М., Наука, 1974)
  • G. Horz, M. Popovic. Acta Met., 27, 1453 (1979)
  • Г. Хакен. Информация и самоорганиция: макроскопический подход к сложным системам (М., Мир, 1974). [Пер. с англ.: H. Haken. Information and self-organization. A macroscopic approach to complex systems (Berlin--Heidelberg--N. Y.--Tokyo, Spinger Verlag, 1988)]
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.