"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние электрон-фононного энергообмена на распространение тепловых волн в полупроводниках
Гуревич Ю.Г.1, Гонзалез де ла Круз Г.1, Логвинов Г.Н.2, Касянчук М.Н.2
1Departamento de Fisica, Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del Instituto Politecnico Nacional, Apartado Postal 14-740, Mexico, Distrito Federal, Mexico
2Тернопольский государственный педагогический университет, Тернополь, Украина
Поступила в редакцию: 30 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.

С учетом электрон-фононного взаимодействия самосогласованно рассчитаны неравновесные периодические в пространстве и времени температурные распределения в электронной и фононной подсистемах геометрически ограниченного полупроводника (тепловые волны). Внешним источником энергетической неравновесности является модулированное лазерное излучение, которое на поверхности образца конвертируется в тепло. Проанализированы зависимости амплитуды и фазы электронной и фононной температур от частоты модуляции для разных толщин образца и ряда характерных параметров задачи. Показано, что, изменяя частоту модуляции в широких пределах (до частоты энергетического электрон-фононного взаимодействия), тепловые волны можно генерировать в электронной и фононной подсистемах в отдельности.
  1. A. Mandelis. Photoacoustic and thermal waves phenomena in semiconductors (North-Holland, 1978)
  2. H. Vargas, L.C. Miranda. Phys. Rep., 161, 43 (1988)
  3. Progress in Photothermal and Photoacoustic Science and Technology, ed. by A. Mandelis (Prentise Hall, N. Y., 1994)
  4. A. Rosencwaig, A. Gersho. J. Appl. Phys., 47, 64 (1976)
  5. В.А. Сабликов, В.Б. Сандомирский. ФТП, 17, 81 (1983)
  6. V.A. Sablikov, V.B. Sandomirski. Phys. St. Sol. (b), 120, 471 (1983)
  7. А.Н. Васильев, В.А. Сабликов, В.Б. Сандомирский. Изв. вузов МВ и ССО СССР. Физика, N 6, 119 (1987)
  8. Ф.Г. Басс, В.С. Бочков, Ю.Г. Гуревич. Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках (М., Наука, 1984)
  9. Г.Н. Логвинов. ФТП, 25, 1815 (1991)
  10. G. Gonzales de la Cruz, Yu.G. Gurevich. J. Appl. Phys., 80, 1726 (1996)
  11. Г.I. Булах, О.В. Волчанський, I.Я. Кучеров. УФЖ, 40, 1228 (1995)
  12. Р. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1982). [Пер. с англ.: R.A. Smith. Semiconductors (Cambridge Univ. Press, Cambridge e.a., 1978)]
  13. T.N. Sitenko, V.T. Layashenko, I.P. Tyagulski. Phys. St. Sol. (a), 9, 51 (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.