"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние кристаллографической ориентации поверхности роста при молекулярно-лучевой эпитаксии на оптические свойства легированных кремнием слоев арсенида галлия
Мокеров В.Г.1, Галиев Г.Б.1, Слепнев Ю.В.1, Хабаров Ю.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 1 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.

Исследованы спектры фотолюминесценции (ФЛ) слоев GaAs (100), (111)A и (111)B, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при различных соотношениях парциальных давлений PAs4/PGa=gamma. В зависимости от кристаллографической ориентации и величины gamma в спектрах ФЛ этих слоев наблюдаются либо две (B-Si-полосы), либо одна B-полоса ФЛ. B-полоса соответствует межзонной излучательной рекомбинации (e-> h), а Si-полоса была приписана оптическим переходам между зоной проводимости и акцепторными состояниями Si (e-> A). Обнаруженные вариации формы спектра ФЛ, величины и типа проводимости исследуемых слоев в зависимости от их ориентации и величины gamma интерпретированы, исходя из изменений концентрации акцепторов Si, их энергетического спектра, а также изменения соотношения концентраций донорных и акцепторных состояний Si. Представленные результаты анализируются в рамках кинетического подхода, базирующегося на различии кратности (энергии) свободных химических связей на различных поверхностях с учетом влияния плотностей молекулярных потоков.
  • W.I. Wang, E.E. Mendez, T.S. Kuan, L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 47, 826 (1985)
  • F. Piazza, L. Pavesi, M. Henin, D. Johnston. Semicond. Sci. Technol., 7, 1504 (1992)
  • A. Chin, P. Martin, P. Ho, J. Ballingall, T. Yu., J. Mazurowski. Appl. Phys. Lett., 59, 1899 (1991)
  • Y. Okano, H. Seto, H. Katahama, S. Nishine, I. Fujimoto, T. Suzuki. Jap. J. Appl. Phys., 28, L151 (1989)
  • G. Borghs, K. Bhattacharyya, K. Deneffe, P. Van Mieghem, R. Mertens. J. Appl. Phys., 66, 4381 (1989)
  • J. Maguire, R. Murray, R.C. Newman, R.B. Beall, J.J. Harris. Appl. Phys. Lett., 50, 516 (1987)
  • N.F. Mott. Adv. Phys., 16, 49 (1967)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.