"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние кристаллографической ориентации поверхности роста при молекулярно-лучевой эпитаксии на оптические свойства легированных кремнием слоев арсенида галлия
Мокеров В.Г.1, Галиев Г.Б.1, Слепнев Ю.В.1, Хабаров Ю.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 1 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.

Исследованы спектры фотолюминесценции (ФЛ) слоев GaAs (100), (111)A и (111)B, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при различных соотношениях парциальных давлений PAs4/PGa=gamma. В зависимости от кристаллографической ориентации и величины gamma в спектрах ФЛ этих слоев наблюдаются либо две (B-Si-полосы), либо одна B-полоса ФЛ. B-полоса соответствует межзонной излучательной рекомбинации (e-> h), а Si-полоса была приписана оптическим переходам между зоной проводимости и акцепторными состояниями Si (e-> A). Обнаруженные вариации формы спектра ФЛ, величины и типа проводимости исследуемых слоев в зависимости от их ориентации и величины gamma интерпретированы, исходя из изменений концентрации акцепторов Si, их энергетического спектра, а также изменения соотношения концентраций донорных и акцепторных состояний Si. Представленные результаты анализируются в рамках кинетического подхода, базирующегося на различии кратности (энергии) свободных химических связей на различных поверхностях с учетом влияния плотностей молекулярных потоков.
  1. W.I. Wang, E.E. Mendez, T.S. Kuan, L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 47, 826 (1985)
  2. F. Piazza, L. Pavesi, M. Henin, D. Johnston. Semicond. Sci. Technol., 7, 1504 (1992)
  3. A. Chin, P. Martin, P. Ho, J. Ballingall, T. Yu., J. Mazurowski. Appl. Phys. Lett., 59, 1899 (1991)
  4. Y. Okano, H. Seto, H. Katahama, S. Nishine, I. Fujimoto, T. Suzuki. Jap. J. Appl. Phys., 28, L151 (1989)
  5. G. Borghs, K. Bhattacharyya, K. Deneffe, P. Van Mieghem, R. Mertens. J. Appl. Phys., 66, 4381 (1989)
  6. J. Maguire, R. Murray, R.C. Newman, R.B. Beall, J.J. Harris. Appl. Phys. Lett., 50, 516 (1987)
  7. N.F. Mott. Adv. Phys., 16, 49 (1967)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.