"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Экспериментальное исследование поперечного эффекта Нернста--Эттингсгаузена и термоэдс при большом градиенте температуры
Гаджиалиев М.М.1, Елизаров В.А.1
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 19 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.

Исследованы поперечный эффект Нернста--Эттингсгаузена и термоэдс компенсированного германия с концентрацией электронов n=2· 1011 см-3 в зависимости от градиента температуры в диапазоне (2/1.5· 103) K·см-1 при средней температуре 350 K. Показано, что механизм рассеяния носителей заряда не зависит от величины градиента температуры, а термоэдс Бенедикса обусловлена разогревом носителей тока тепловым полем.
  • Я. Тауц. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках (М., ИЛ, 1962)
  • В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
  • Л.П. Булан, Р.Б. Ладыка. ФТП, 24, 1221 (1982)
  • М.М. Гаджиалиев. В кн.: Плазма в полупроводниках (Махачкала, 1984) с. 21
  • И.М. Цидильковский. Термомагнитные явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1960) с. 290
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.