"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Образование квазимолекул Se2 в кремнии, легированном селеном
Таскин А.А.1, Тишковский Е.Г.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 16 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.

Исследована кинетика формирования примесных комплексов, связанных с селеном. Получены зависимости стационарной концентрации комплексов от температуры и от концентрации атомов селена в узлах кристаллической решетки кремния. Установлено, что в процессе взаимопревращений электрически активных комплексов в диапазоне 670-1000oC в любой точке пространственного распределения примеси остается неизменным полное количество атомов, участвующих в реакциях комплексообразования. Кинетика накопления центра с энергией ионизации 0.2 эВ удовлетворительно описывается схемой квазихимических реакций образования и распада квазимолекулы Se2. В приближении идеальных сильно разбавленных растворов для энергии связи квазимолекулы Se2 получено значение 1.35 эВ.
  1. F.A. Trumbor. Bell Syst. Techn. J., 39, 205 (1960)
  2. V.E. Borisenko, S.G. Yudin. Phys. St. Sol., 101, 123 (1987)
  3. А.М. Мясников, В.И. Ободников, В.Г. Серяпин, Е.Г. Тишковский, Б.И. Фомин, Е.И. Черепов. Письма ЖЭТФ, 60, 96 (1994)
  4. А.М. Мясников, В.И. Ободников, В.Г. Серяпин, Е.Г. Тишковский, Б.И. Фомин, Е.И. Черепов. ФТП, 31, 338 (1997)
  5. А.М. Мясников, В.И. Ободников, В.Г. Серяпин, Е.Г. Тишковский, Б.И. Фомин, Е.И. Черепов. ФТП, 31, 703 (1997)
  6. P.A. Stolk, H.-J. Gossmann, D.J. Eagleham, D.C. Jacolson, J.M. Poat, H.S. Luftman. Appl. Phys. Lett., 66, 568 (1995)
  7. P.A. Stolk, D.J. Eagleham, H.-J. Gossmann, J.M. Poat. Appl. Phys. Lett., 66, 1370 (1995)
  8. В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, Р. Кайнер, А.Г. Миронов, Р. Эндерлайн, Б. Эссер. Электронная теория неупорядоченных полупроводников (М., Наука, 1987)
  9. H.R. Vydyanath, J.S. Lorenzo, F.A. Kroger. J. Appl. Phys., 49, 5928 (1978)
  10. V.A. Singh, U. Lindefelt, A. Zunger. Phys. Rev. B, 27, 4909 (1983)
  11. H. Overhof, M. Scheffler, C.M. Weinert. Phys. Rev. B, 43, 12 494 (1991)
  12. G. Pensl, G. Roos, C. Holm, P. Wagner. Mater. Sci. Forum, 10--11, 911 (1986)
  13. H.G. Grimmeiss, E. Janzen. MRS Symp. Proc., 14, 33 (1983)
  14. Н.Н. Герасименко, Б.А. Зайцев, А.А. Таскин, Е.Г. Тишковский. ФТП, 24, деп. Р-4901/88 (1990)
  15. E. Janzen, R. Stedman, G. Grossmann, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 29, 1907 (1983)
  16. J.C. Swartz, D.H. Lemmon, R.N. Thomas. Sol. St. Commun., 36, 331 (1980)
  17. Б.А. Зайцев, А.А. Таскин, Е.Г. Тишковский. Препринт 2 ИФП СО АН СССР (Новосибирск, 1990)
  18. К.В. Гардинер. Стохастические методы в естественных науках (М.: Мир, 1986)
  19. В.Л. Винецкий, Г.А. Холодарь. Статическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1969)
  20. M. Koiwa. Cryst. Lattice Def., 4, 65 (1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.