Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Природа глубоких уровней, ответственных за эффект фотоэлектрической памяти в многослойных структурах с квантовыми ямами на основе GaAs/AlGaAs

Овсюк В.Н.^1,2, Демьяненко М.А.^1,2, Шашкин В.В.^1,2, Торопов А.И.^1,2

¹Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
²Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 24 декабря 1997 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На основе анализа кинетики избыточного тока многослойных структур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, наблюдаемой как в процессе оптического облучения, так и после него, определены основные параметры неконтролируемых глубоких уровней, ответственных за эффект фотоэлектрической памяти в этих структурах. Зависимость сечения фотоионизации от энергии кванта оптического излучения, сечение захвата и величина энергетического барьера для захвата электрона со дна зоны проводимости указывают, что неконтролируемые глубокие уровни являются DX-центрами, образованными кремниевой примесью. Вероятно, данные DX-центры появляются в процессе выращивания структур в результате облегченной диффузии кремния из квантовых ям по дефектам роста.

B.F. Levine. J. Appl. Phys., 74, R1 (1993)
K.K. Choi, B.F. Levine, C.G. Bethea, J. Walker, R.J. Malik. Appl. Phys. Lett., 50, 1814 (1987)
B.F. Levine, C.G. Bethea, G. Hasnain, V.O. Shen, E. Pelve, R.R. Abbott, S.J. Hsieh. Appl. Phys. Lett., 56, 851 (1990)
E. Pelve, F. Beltram, C.G. Bethea, B.F. Levine, V.O. Shen, S.J. Hsieh. J. Appl. Phys., 66, 5656 (1989)
B.F. Levine, A. Zussman, J.M. Kuo, J. de Jong. J. Appl. Phys., 71, 5130 (1992)
A. Zussman, B.F. Levine, J.M. Kuo, J. de Jong. J. Appl. Phys., 70, 5101 (1991)
G.M. Williams, R.E. DeWames, C.W. Farley, R.J. Anderson. Appl. Phys. Lett., 60, 1324 (1992)
В.Н. Овсюк, М.А. Демьяненко, В.В. Шашкин, А.И. Торопов. ФТП, 32, 209 (1998)
P.M. Mooney. J. Appl. Phys., 67, R1 (1990)
P.M. Mooney, G.A. Northrop, T.N. Morgan, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 37, 8298 (1988)
J.C. Simmons, L.S. Wei. Sol. St. Electron., 17, 117 (1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель