Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1998, выпуск 9 » Статья стр. 1100
<<<>>>
Слабополевое магнитосопротивление двумерных электронов в гетероструктурах In0.53Ga0.47As / InP в режиме замороженной фотопроводимости
Быканов Д.Д.1, Крещук А.М.1, Новиков С.В.1, Полянская Т.А.1, Савельев И.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.
PDF версия
Проведено исследование слабополевого магнитосопротивления двумерного электронного газа в селективно легированных гетероструктурах In0.53Ga0.47As / InP при изменении состояния системы путем освещения образца межзонным светом и перевода его в состояние замороженной фотопроводимости. Определены и проанализированы концентрационные зависимости параметров, характеризующих фазовую (Hvarphi) и спиновую (Hs) когерентности, как в области малой концентрации, где носители находятся только в первой подзоне размерного квантования, так и в области заполнения второй подзоны. Качественное описание всех наблюдавшихся в эксперименте особенностей получено при учете перераспределения зарядов в режиме замороженной фотопроводимости и большой роли процессов, происходящих во второй подзоне размерного квантования, даже при ее малом заполнении.
  1. А.М. Крещук, С.В. Новиков, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев. ФТП, 31, 459 (1997)
  2. Sh. Iwabuchi, Y. Nagaoka. J. Phys. Soc. Jap., 58, 1325 (1989)
  3. Л.В. Голубев, А.М. Крещук, С.В. Новиков, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, И.И. Сайдашев. ФТП, 22, 1948 (1988)
  4. А.М. Крещук, С.В. Новиков, И.Г. Савельев. ФТП, 26, 1375 (1992)
  5. S. Mori, T. Ando. Phys. Rev. B, 19, 6433 (1979)
  6. A.M.Kreshchuk, S.V. Novikov, T.A. Polyanskaya, I.G. Savel'ev, A.Ya. Shik, J. Cryst. Growth, 146, 153 (1995)
  7. К.Б. Ефетов. ЖЭТФ, 78, 2017 (1980); S. Hikami, A.I. Larkin, Y. Nagaoka. Prog. Theor. Phys., 63, 707 (1980)
  8. Б.Л. Альтшулер, А.Г. Аронов, А.И. Ларкин, Д.Е. Хмельницкий. ЖЭТФ, 81, 788 (1981)
  9. М.И. Дьяконов, В.И. Перель. ЖЭТФ, 60, 1954 (1971)
  10. F.G. Pikus, G.E. Pikus. Phys. Rev. B, 51, 16 928 (1995)
  11. B.L. Altshuler, A.G. Aronov, D.E. Khmelnitskii. J. Phys. C, 15, 7367 (1982)
  12. G. Dresselhaus. Phys. Rev., 100, 580 (1955)
  13. Yu.L. Bychkov, E.I. Rashba. J. Phys. C, 17, 6093 (1984)
  14. A.M. Kreshchuk, S.V. Novikov, T.A. Polyanskaya, I.G. Savel'ev. Semicond. Sci. Techn. 13, 384 (1998)
  15. T. Ando. J. Phys. Soc. Jap., 51, 3842 (1982)
  16. F. Stern, S.D. Sarma. Phys. Rev. B, 30, 840 (1984)
  17. J. Yoshida. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-33, 154 (1986)
  18. G.M. Gusev, Z.D. Kvon, I.G. Neizvestnyi, V.N. Ovsuk. Sol. St. Commun., 46, 169 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme