"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности электрической компенсации примеси висмута в PbSe
Немов С.А.1, Гаврикова Т.А.1, Зыков В.А.1, Осипов П.А.1, Прошин В.И.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 января 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

Изучена самокомпенсация в массивных образцах PbSe : (Bi, Seex), изготовленных металлокерамическим методом. Исследована зависимость концентрации носителей тока при различных содержаниях висмута от величины избытка селена. Сравнением экспериментальных данных с расчетными показано, что компенсация донорного действия висмута, размещенного в катионной подрешетке, осуществляется двукратно ионизованными вакансиями свинца. В некоторых сериях образцов на зависимости концентрации носителей тока от избытка селена наблюдались немонотонности, связанные с размещением атомов Bi как в катионной, так и в анионной подрешетке.
  • Л.И. Бытенский, В.И. Кайданов, Р.Б. Мельник, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 14, 74 (1980)
  • С.А. Немов, М.К. Житинская, В.И. Прошин. ФТП, 25, 114 (1991)
  • Ю.И. Равич, Б.А. Ефимов, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводниковых материалов в применении к халькогенидам свинца --- PbTe, PbSe, PbS (М., Наука, 1968)
  • Н.Х. Абрикосов, Л.Е. Шелимова. Полупроводниковые материалы на основе A-=SUP=-IV-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=- (М., Наука, 1975)
  • В.А. Зыков, Т.А. Гаврикова, С.А. Немов. ФТП, 29, 309 (1995)
  • В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 28, 369 (1994)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.