"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Самоорганизующиеся наногетероструктуры в твердых растворах InGaAsP
Вавилова Л.С.1, Иванова А.В.1, Капитонов В.А.1, Мурашова А.В.1, Тарасов И.С.1, Арсентьев И.Н.1, Берт Н.А.1, Мусихин Ю.Г.1, Пихтин Н.А.1, Фалеев Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.

Исследованы фотолюминесцентные и микрорентгеноструктурные свойства эпитаксиальных слоев твердых растворов InGaAsP, изопериодических с подложками InP (100) и GaAs (100), полученных в области несмешиваемости и спинодального распада. Показано хорошее согласие экспериментальных результатов с теоретической моделью спинодального распада. Определены границы области существования двух твердых фаз различного состава в эпитаксиальных слоях твердых растворов InGaAsP, изопериодических с подложками InP и GaAs. Получена периодическая наногетероструктура в эпитаксиальном слое твердых растворов InGaAsP с периодом повторения 650± 30 Angstrem в двух взаимно перпендикулярных направлениях.
  1. B. de Cremoux. J. Physique, 43, C5-19 (1982)
  2. G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 65, 454 (1983)
  3. И.П. Ипатова, В.Г. Малышкин, А.Ю. Маслов, В.А. Щукин. ФТП, 27, 285 (1993)
  4. I.P. Ipatova, V.G. Malyshin, V.A. Shchukin. J. Appl. Phys., 74, 7198 (1993)
  5. P. Henoc, A. Izrael, M. Quillec, H. Launois. Appl. Phys. Lett., 40, 963 (1982)
  6. O. Ueda, S. Isozumi, S. Komiya. Japan. J. Appl.Phys., 23, L241 (1984)
  7. A.G. Norman, G.R. Booker. J. Appl. Phys., 57, 4715 (1985)
  8. N.G. Chu, S. Nakahara, K.E. Strege, W.D. Johnston. J. Appl. Phys., 57, 4610 (1985)
  9. P. Roura, J. Bosch, S.A. Clark, F. Peiro, A. Cornet, J.R. Morante, R.H. Williams. Semicond. Sci. Technol., 11, 1310 (1996)
  10. С.К. Максимов, Л.А. Бондаренко, А.С. Петров, В.В. Кузнецов. ФТТ 24, 2, 628 (1982)
  11. E. Kuphal. J. Cryst. Growth, 67, 441 (1984)
  12. N.A. Bert, A.I. Gorelenok, A.G. Dzigasov, S.G. Konnikov, T.B. Popova, I.S. Tarasov, V.K. Tibilov. J. Cryst. Growth., 52, 716 (1981)
  13. М.А. Иванов, Ю.В. Ильин, Н.Д. Ильинская, Ю.А. Корсакова, А.Ю. Лешко, А.В. Лунев, А.В. Лютецкий, А.В. Мурашова, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 21, 70 (1995)
  14. R.J. Nelson. Appl. Phys. Lett., 35, 654 (1979)
  15. Ж.И. Алфёров, И.Н. Арсентьев, Л.С. Вавалова, Д.З. Гарбузов, В.В. Красовский, А.В. Тикунов, В.П. Чалый. ФТП, 19, 1115 (1985)
  16. И.С. Тарасов, Н.А. Пихтин, А.В. Мурашова, А.В. Лютецкий, А.Ю. Лешко, М.А. Иванов, Н.А. Берт, Ж.И. Алфёров. 2-я Рос. конф. по физике полупроводников РКФП'96 (Зеленогорск, 26 февраля--1 марта 1996). т. 1. с. 40
  17. I.S. Tarasov, L.S. Vavilova, N.I. Katsavets, A.V. Lyutetskiy, A.V. Murashova, N.A. Pikhtin, N.A. Bert, Zh.I. Alferov. Abstracts Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 24--28 June 1996) p. 362
  18. I.S. Tarasov, L.S. Vavilova, I.P. Ipatova, A.V. Lyutetskiy, A.V. Murashova, N.A. Pikhtin, V.A. Shchukin, Zh.I. Alferov. Proc. 23rd Int. Symp. Compound Semiconductors ISCS-23 (St. Petersburg, Russia, 23--27 September 1996) p. 117

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.