"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О процессах захвата неосновных носителей тока в CdxHg1-xTe n-типа при низких температурах
Гасан-заде С.Г.1, Шепельский Г.А.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 2 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.

В кристаллах CdxHg1-xTe n-типа измерены фотопроводимость и фотоэлектромагнитный эффект в условиях однооосной упругой деформации. Показано, что рост времени жизни носителей тока в низкотемпературном диапазоне (T<40-50 K) связан не с межзонной оже-рекомбинацией, а с захватом неосновных носителей тока --- дырок на мелкие уровни прилипания акцепторного типа.
  1. Н.С. Барышев, Б.Л. Гельмонт, М.И. Ибрагимова. ФТП, 24, 209 (1990)
  2. I. Calas, I. Allegre. Phys. St. Sol. (b), 112, 179 (1982)
  3. R.R. Gerhards, R. Dornhaus, G. Nimtz. Sol. St. Electron., 21, 1467 (1978)
  4. Н.Л. Баженов, Б.Л. Гельмонт, В.И. Иванов-Омский, А.А. Малькова, В.К. Огородников, Т.У. Тотиева. ФТП, 16, 109 (1982)
  5. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., 1972)
  6. А.В. Германенко, Г.М. Миньков, В.Л. Румянцев, О.Э. Рут, О.В. Инишева. ФТП, 23, 796 (1989)
  7. Ф.Т. Васько, С.Г. Гасан-заде, М.В. Стриха, Г.А. Шепельский. Письма ЖЭТФ, 50, 287 (1989)
  8. С.Г. Гасан-заде, Г.А. Шепельский. ФТП, 27, 1326 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.