"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Коротковолновая фотолюминесценция слоев SiO2, имплантированных большими дозами ионов Si+, Ge+ и Ar+
Качурин Г.А.1, Реболе Л.2, Скорупа В.2, Янков Р.А.2, Тысченко И.Е.1, Фрёб Х.2, Бёме Т.3, Лео К.3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Исследовательский центр Россендорф, Дрезден, ФРГ
3Дрезденский технический университет, Дрезден, ФРГ
Поступила в редакцию: 28 января 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.

Сопоставлены коротковолновые (400/ 700 нм) спектры фотолюминесценции (ФЛ) слоев SiO2, имплантированных ионами Si+, Ge+ и Ar+ в интервале доз 3.2· 1016/ 1.2· 1017 см-2. После имплантации ионов Ar+ наблюдалось крайне слабое свечение, полностью исчезающее после отжигов 400oC, 30 мин или 1050oC, 20 мс. После имплантации элементов IV группы интенсивности люминесценции были на 1--2 порядка выше, причем она не только сохранялась при отжигах, но и могла расти. Зависимости свечения от дозы и нагревов показывают, что оно обусловлено формированием примесных кластеров и этот процесс носит скорее перколяционный, чем диффузионный характер. Для обеих примесей IV группы сразу после имплантации наблюдались интенсивная синяя полоса и более слабая --- в оранжевой части спектра. Соотношение энергий возбуждения и излучения синей люминесценции характерно для вакансий кислорода в SiO2, свойства которых определяются прямым взаимодействием атомов IV группы. На этом основании считается, что центрами синей ФЛ являются погруженные в SiO2 цепочки атомов Si (или Ge). Оранжевое свечение после отжигов сохранялось только в случае имплантации ионов Si+. Оно связывается непосредственно с нефазовыми выделениями Si в виде сильно развитых кластеров нанометрового размера.
  • H. Tamura, M. Ruckschloss, T. Wirschem, S. Veprek. Appl. Phys. Lett., 65, 1357 (1994)
  • P. Mutti, G. Ghislotti, S. Bertoni, L. Bonoldi, G.F. Cerofolini, L. Meda, E. Grilli, M. Guzzi. Appl. Phys. Lett., 66, 851 (1995)
  • J.G. Zhu, C.W. White, J.D. Budai, S.P. Withraw, Y. Chen. J. Appl. Phys., 78, 4386 (1995)
  • Q. Zhang, S.C. Bayliss, D.A. Hutt. Appl. Phys. Lett., 66, 1977 (1995)
  • H. Morisaki, H. Hashimoto, F.W. Ping, H. Nozava, H. Ono. J. Appl. Phys., 74, 2977 (1993)
  • T. Shimizu-Iwayama, Y. Terao, A. Kamiya, M. Takeda, S. Nakao, K. Saitoh. Nucl. Instrum. Meth. B, 112, 214 (1996)
  • L.-S. Liao, X.-M. Bao, N.-S. Li, X.-Q. Zheng, N.-B. Min. J. Luminesc., 68, 199 (1996)
  • A.K. Dutta. Appl. Phys. Lett., 68, 1189 (1996)
  • K.S. Min, K.V. Shcheglov, C.M. Yang, H.A. Atwater, M.L. Brongersma, A. Polman. Appl. Phys. Lett., 68, 2511 (1996)
  • Y. Kanemitsu, H. Uto, Y. Masumoto, Y. Maeda. Appl. Phys. Lett., 61, 2187 (1992)
  • H.M. Cheong, W. Paul, S.P. Withrow, J.G. Zhu, J.D. Budai, S.W. White, D.M. Hembree. Appl. Phys. Lett., 68, 87 (1996)
  • W. Skorupa, R.A. Yankov, L. Rebohle, H. Frob, T. Bohme, K. Leo, I.E. Tyschenko, G.A. Kachurin. Nucl. Instrum. Meth. B, 119, 106 (1996)
  • G.A. Kachurin, I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, N.A. Pazdnikov, V.A. Volodin, A.K. Gutakovsky, A.F. Leier, W. Skorupa, R.A. Yankov. Nucl. Instrum. Meth. B, 122, 571 (1997)
  • R. Tohmon, Y. Shimogaichi, H. Mizuno, Y. Ohki. Phys. Rev. Lett., 62, 1388 (1989)
  • H. Nishikawa, T. Shiroyama, R. Nakamura, Y. Ohki, K. Nagasawa, Y. Hama. Phys. Rev. B, 45, 586 (1992)
  • H. Nishikawa, E. Watanabe, D. Ito, Y. Sakurai, K. Nagasawa, Y. Ohki. J. Appl. Phys., 80, 3513 (1996)
  • A.J. Kenyon, P.F. Towoga, C.W. Pitt, G. Rehm. J. Appl. Phys., 79, 9291 (1996)
  • G. Ghislotti, B. Nielsen, P. Asoka-Kumar, K.G. Lynn, A. Gambhir, L.E. Di Mauro, C.E. Bottani. J. Appl. Phys., 79, 8660 (1996)
  • S. Bota, B. Garrido, J.R. Morante, A. Baraban, P.P. Konorov. Sol. St. Electron., 34, 355 (1996)
  • L.A. Nesbit. Appl. Phys. Lett., 46, 38 (1985)
  • H. Hosono, Y. Abe, D.L. Kinser, R.A. Weeks, K. Muta, H. Kawazoe. Phys. Rev. B, 46, 11 445 (1982)
  • M. Gallagher, U. Osterberg. Appl. Phys. Lett., 63, 2987 (1993)
  • V.B. Sulimov, V.O. Sokolov, J. Non-Cryst. Sol., 191, 260 (1995)
  • A.N. Goldstein. Appl. Phys. A, 62, 33 (1996)
  • Г.А. Качурин, И.Е. Тысченко, В. Скорупа, Р.А. Янков, К.С. Журавлев, Н.А. Паздников, В.А. Володин, А.К. Гутаковский, А.Ф. Лейер. ФТП, 31, 730 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.