Обнаружение низкотемпературной диффузии примесных атомов алюминия в имплантированном водородном кремнии
Горелкинский Ю.В.1, Мукашев Б.Н.1, Абдуллин Х.А.1
1Физико-технический институт Министерства науки --- Академии наук Республики Казахстан, Алматы, Казахстан
Поступила в редакцию: 20 марта 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.
Методом ЭПР изучены образцы монокристаллического кремния, легированного примесью алюминия и импланированного атомами водорода при температуре ~80 K. Обнаружены два новых ЭПР спектра, обозначенные как Si-AA15 и Si-AA16. Сверхтонкая структура спектров однозначно показывает, что в состав дефектов AA15 и АА16 вовлечены два и один атом алюминия соответственно. Формирование пар Al-Al (дефект AA15) свидетельствует о сильной миграции примесных атомов алюминия. Миграция, происходящая в эксперименте при T=<200 K, не может быть нормальной или инжекционно-ускоренной диффузией. Обсуждаются возможные модели примесных межузельных пар Al-Al и механизм водородно-ускоренной миграции.
- G.D. Watkins. Mater. Sci. Forum 143--147, 9 (1994)
- G.D. Watkins. Radiation Damage in Semiconductors (Dunod, Paris, 1964) p. 97
- J.R. Troxell, A.P. Chatterjee, G.D. Watkins, L.C. Kimerling. Phys. Rev. B, 19, 5336 (1979)
- J.R. Troxell, G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 22, 921 (1980)
- L.C. Kimerling, P. Blood, W.M. Gibson. Inst. Phys. Conf. Ser. N 46, 273 (1978)
- Kh.A. Abdullin, B.N. Mukashev, M.F. Tamendarov. ФТП, 25, 684 (1991)
- R.C. Newman. 20th Int. Conf. Phys. Semicond., ed. by E.M. Anastassakis, J.D. Joannopoulos (World Scientific, Singapore. 1991) v. 1, p. 332
- S.A. McQuaid, C.A. Londos, M.J. Binns, R.C. Newman, J.H. Tucker. Mater. Sci. Forum, 143--147, 963 (1994)
- R. Jones, S. Oberg, A. Umerski. Mater. Sci. Forum, 83--87, 551 (1992)
- S. Estreicher. Phys. Rev. B, 141, 9886 (1990--I)
- M.J. Binns, S.A. McQuaid, R.C. Newman, E.C. Lightowlers. Semicond. Sci. Technol., 8, 1908 (1993)
- E.L. Elkin, G.D. Watkins. Phys. Rev., 174, 881 (1968)
- G.D. Watkins. J.W. Corbett. Phys. Rev., 134, A1359 (1964)
- S.J. Pearton, J.W. Corbett, M. Stavola. Springer Ser. Mater. Sci, 16 (1992)
- Х.А. Абдуллин, Б.Н. Мукашев. ФТП, 28, 1831 (1994).
- Kh.A. Abdullin, B.N. Mukashev, Yu.V. Gorelkinskii. Semicond. Sci. Technol., 11, 1696 (1996)
- R.G. Harris, G.D. Watkins. 13th Int. Conf. Def. in Semicond. (Coronado, 1985) p. 799
- Yu.V. Gorelkinskii, N.N. Nevinnyi. Physica B, 170, 155 (1991)
- G.A. Baraff, M. Schluter. Phys. Rev. B, 30, 3460 (1984)
- G.D. Watkins, K.L. Brower. Phys. Rev. Lett., 36, 1329 (1976)
- K.L. Brower. Phys. Rev. B, 9, 2607 (1974)
- J.M. Trombetta, G.D. Watkins. Appl. Phys. Lett., 51, 1103 (1987)
- M. Hagen, H. Overhof. Mater. Sci. Forum, 143--147, 1197 (1994).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
