"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Межпримесное поглощение света в тонких проволоках полупроводников типа AIIIBV
Джотян А.П.1, Казарян Э.М.1, Чиркинян А.С.1
1Ереванский государственный университет, Ереван, Республика Армения
Поступила в редакцию: 20 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 21 декабря 1997 г.

Рассмотрено межпримесное поглощение света в тонких слабо легированных проволоках полупроводников типа AIIIBV с кейновским законом дисперсии носителей заряда при учете одномерного хаотического распределения примесей. Исследован ход кривой поглощения: найдено пложение максимумов поглощения, соответствующих переходам с основного акцепторного уровня на основной и первый возбужденный уровни донора в проволоке, их края и полуширины. Показано, что непараболичность, приводящая к реализации переходов между основными состояниями примеси, вызывает резкое отдаление этой линии поглощения от остальных.
  • А.П. Джотян, Э.М. Казарян, А.С. Чиркинян. ФТП, 30, 1085 (1996)
  • G.M. Dohler. Phys. Stat. Sol. (b), 45, 705 (1971)
  • E.O. Kane. J. Phys. Chem. Sol., 1, 249 (1957)
  • H.N. Spector, J. Lee. Amer. J. Phys., 53, 248 (1985)
  • С.Л. Арутюнян, Э.М. Казарян. Изв. АН АрмССР. Физика, 12, 16 (1977)
  • А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., 1978)
  • Э.М. Казарян, А.А. Киракосян. Сб. ВИМИ Рипорт, В4 (1975)
  • А.А. Киракосян, Э.А. Саркисян. Изв. АН АрмССР. Физика, 19, 129 (1984)
  • Е. Янке, Ф. Эмде, Ф. Леш. Специальные функции (М., 1977)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.