"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние интенсивности gamma-излучения на фотолюминесценцию GaAs : Te
Дубовик В.И.1, Богданова В.А.1, Давлеткильдеев Н.А.1, Семиколенова Н.А.1, Шутяк О.А.1
1Институт сенсорной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
Поступила в редакцию: 5 мая 1997 г.
Выставление онлайн: 22 декабря 1997 г.

Приведены результаты исследований по влиянию gamma-излучения (60Co) различной интенсивности (Pgamma~ 1.7/7.5 кГр/ч) на фотолюминесценцию (ФЛ) монокристаллов GaAs : Te (n0=1.2/ 2.3·1018 см-3). Наряду с известными примесной (hnumax~1.2 эВ и(или) hnumax~1.35 эВ ) и краевой (hnumax~1.51 эВ) ФЛ в спектре обнаружены новые полосы hnumax~1.3 эВ и hnumax~ 1.48 эВ. Наблюдаемые эффекты объясняются радиационно-стимулированным упорядочением донорной примеси и глубоких примесных центров.
  • В.А. Богданова, Н.А. Семиколенова. ФТП, 26, 818 (1992)
  • В.А. Богданова, Н.А. Давлеткильдеев, В.И. Дубовик, Н.А. Семиколенова. Тез. докл. II Рос. конф. по физике полупроводников (Зеленогорск, СПб., 1996) с. 127.
  • V.A. Bogdanova, V.I. Dubovic, V.V. Prudnikov, N.A. Semicolenova. Int. Conf. Sol. St. Dev. and Mater. (Osaka, Japan, 1995) p. 1057.
  • К.Д. Глинчук, В.Ф. Коваленко, А.В. Прохорович. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., вып. 2, 46 (1991)
  • V.V. Prudnikov, I.A. Prudnikova, N.A. Semikolenova. Phys. St. Sol. (b), 187, 87 (1994)
  • В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
  • Точечные дефекты в твердых телах: Сб. статей (М., Мир, 1979)
  • Т.Д. Джафаров. Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках (М., Энергоатомиздат, 1991)
  • В.И. Вовненко, К.Д. Глинчук, К. Лукат. ФТП, 14, 1834 (1980)
  • P.F. Fewester. J. Phys. Chem. So., 42, 883 (1981)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.