"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптические характеристики комплексов, связанных с 1.18 эВ полосой люминесценции в n-GaAs : Sn(Si): результаты исследований фотолюминесценции при поляризованном резонансном возбуждении
Гуткин А.А.1, Пиотровский Т.1, Пулторак Е.1, Рещиков М.А.1, Седов В.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 21 декабря 1997 г.

Экспериментальные значения поляризации низкотемпературного излучения комплексов VGaSnGa и VGaSiGa в n-GaAs при резонансном возбуждении поляризованным светом, распространяющимся вдоль кристаллографического направления [110] и [100], сопоставлены с выражениями, полученными в классическом дипольном приближении для дефектов триклинной и моноклинной симметрии. Показано, что доля ротатора в суперпозиции ротатора и осциллятора, представляющей излучение комплекса, составляет 17/18%. Направление оси этих диполей, удовлетворяющее экспериментальным данным, согласуется с предположением, что влияние донора на вакансионные орбитали дырки, локализованной на комплексе, меньше, чем влияние эффекта Яна--Теллера. При этом симметрия комплекса может быть как моноклинной, так и триклинной. В обоих случаях отклонение оси оптического диполя комплекса от направления оси диполя изолированной VGa, искаженной вследствие эффекта Яна--Теллера, для комплексов VGaSnGa и VGaSiGa меньше, чем для комплексов VGaTeAs. Последнее означает, что влияние донора на электронную структуру комплекса в VGaTeAs больше, чем в VGaSnGa и VGaSiGa. Это согласуется с различием в положении донора в этих комплексах.
  • E.W. Williams. Phys. Rev., 168, 922 (1968)
  • S.Y. Chiang, G.L. Pearson. J. Lumm., 10, 313 (1975)
  • И.А. Буянова, С.С. Остапенко, М.К. Шейкман. ФТТ, 27, 748 (1985)
  • Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, В.Е. Седов, В.Р. Сосновский. ФТП, 25, 50 (1991)
  • А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Р. Сосновский. ФТП, 27, 1516 (1993)
  • А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 30, 1123 (1996)
  • А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 31, 1062, (1997)
  • A.A. Gutkin, N.S. Averkiev, M.A. Reshchikov, V.E. Sedov. In: Defects in Semiconductors 18, ed. by M. Suezawa and H. Katayama-Yoshida (Mater. Sci. Forum, 196-201, pt. 1, 1995) p. 231
  • N.S. Averkiev, A.A. Gutkin, S.Yu. Il'inskii, M.A. Reshchikov, V.E. Sedov. Zeitschrift fur Physicalische Chemie, 200, 209 (1997)
  • F.C. Rong, W.A. Barry, J.F. Donegan, G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 54, 7779 (1996)
  • Е.Е. Букке, Н.Н. Григорьев, М.В. Фок. Тр. ФИАН, 79, 108 (1974)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.