"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
История и будущее полупроводниковых гетероструктур
Алферов Ж.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.

Описана история создания полупроводниковых гетероструктур и их применений в различных электронных приборах. Также приведен краткий исторический обзор развития физики, технологии изготовления и применений квантовых ям и сверхрешеток. Обсуждаются успехи последних лет в области создания структур с квантовыми проволоками и, особенно, с квантовыми точками, а также тенденции и перспективы развития и применения этих новых типов гетероструктур.
  1. В.П. Жузе, Б.В. Курчатов. ЖЭТФ, 2, 309 (1932); V.P. Zhuze, B.V. Kurchatov. Phyz. Zs. SU, 2, N 6, 463 (1932)
  2. Ya.I. Frenkel, A.F. Ioffe. Phys. Z.d. SU, Bd. 1, H. 1, 60 (1932)
  3. Я.И. Френкель. Phys. Rev., 37, 17 (1931); Phys. Rev., 37, 1276 (1931); ЖЭТФ, 6, 647 (1936)
  4. Е.Ф Гросс, Н.А. Кариев. ДАН СССР, 84, 261 (1952); Е.Ф Гросс, Н.А. Кариев. ДАН СССР, 84, 471 (1952)
  5. Б.И. Давыдов. ЖЭТФ, 9, 451 (1939)
  6. N.H. Welker. Zs. Naturforsch., 7-=SUP=-а-=/SUP=-, 744 (1952); Zs. Naturforsch., 8-=SUP=-а-=/SUP=-, 248 (1953)
  7. Н.А. Горюнова. Автореф. дис. (ЛГУ, ФТИ, 1951); А.И. Блюм, Н.П. Мокровский, А.Р. Регель. Тр. VII конф. по свойствам полупроводников (Киев, 1950) [Изв. АН СССР. Сер. физ., XVI, 139 (1952).]
  8. W. Shokley. US Patent 2569347, September 25 (1951)
  9. А.И. Губанов. ЖТФ, 20, 1287 (1950); ЖТФ, 21, 304 (1951)
  10. H. Kroemer. Proc. JRE, 45, 1535 (1957); RCA Rev., 28, 332 (1957)
  11. Ж.И. Алферов, Р.Ф. Казаринов. А. c. N 181737, заявка N 950840 с приоритетом от 30 марта 1963; H. Kroemer. Proc. IEEE, 51, 1782 (1963) (Submitted October 14, 1963)
  12. Ж.И. Алферов, В.Б. Халфин, Р.Ф. Казаринов. ФТТ, 8, 3102 (1966) (Послана в печать 20 апреля 1966)
  13. Ж.И. Алферов. ФТП, 1, 436 (1967). (Послана в печать 11 ноября 1966)
  14. L. Anderson. IBM J. Res. Develop., 4, 283 (1960); Sol. St. Electron., 5, 341 (1962)
  15. G. Natta, L. Passerini. Gazz. Chim. Ital., 58, 458 (1928); V.M. Goldschmidt. Trans. Farad. Soc., 25, 253 (1929)
  16. Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, В.С. Григорьева, Ю.В. Жиляев, Л.В. Крадинова, В.И. Корольков, Е.П. Морозов, О.А. Нинуа, Е.Л. Портной, В.Д. Прочухан, М.К. Трукан. ФТТ, 9, 279 (l967) (Послана в печать 15 июля 1966)
  17. Ж.И. Алферов, Ю.В. Жиляев, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 5, 196 (1971) (Послана в печать 10 cентября 1970)
  18. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.И. Корольков, Д.Н. Третьяков, В.М. Тучкевич. ФТП, 1, 1579 (1967) (Послана в печать 18 мая 1967); H.S. Rupprecht, I.M. Woodall, G.D. Pettit. Appl. Phys. Lett., 11, 81 (1967) (Submitted June 19, 1967)
  19. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.И. Корольков, Е.Л. Портной, Д.Н. Третьяков. ФТП, 2, 1016 (1968) (Послана в печать 13 сентября 1967)
  20. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.И. Корольков, Е.Л. Портной, Д.Н. Третьяков. ФТП, 2, 1545 (1968) (Послана в печать 5 мая 1968)
  21. a) Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.И. Корольков, Е.Л. Портной, Д.Н. Третьяков. Тр. IX межд. конф. по полупроводниковым структурам (Москва, 23--29 июля 1968) (Л., Наука, 1969) 1, 534; b) Zh.I. Alferov. Proc. Int. Conf. on Luminescence (Newark, Delaware USA, August 25--29, 1969); J. Luminesc., 1, 2, 869 (1970); c) Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, Е.П. Морозов, Е.Л. Портной. ФТП, 3, 1054 (1969); d) Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.И. Корольков, Е.Л. Портной, А.А. Яковенко. ФТП, 3, 541 (1969)
  22. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Е.Л. Портной, М.К. Трукан. ФТП, 3, 1328 (1969) (Послана в печать 30 декабря 1968)
  23. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.И. Корольков, Е.Л. Портной, А.А. Яковенко. ФТП, 3, 930 (1969) (Послана в печать 26 декабря 1968)
  24. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, М.В. Каган, И.И. Протасов, В.Г. Трофим. ФТП, 4, 2378 (1970) (Послана в печать 10 июня 1970)
  25. Ж.И. Алферов, Ф.А. Ахмедов, В.И. Корольков, В.Г. Никитин. ФТП, 7, 1159 (1973)
  26. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.И. Корольков, В.Г. Никитин, А.А. Яковенко. ФТП, 4, 578 (1970)
  27. I. Hayashi. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-31, 1630 (1984)
  28. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Ю.В. Жиляев, Е.П. Морозов, Е.Л. Портной, В.Г. Трофим. ФТП, 4, 1826 (1970) (Послана в печать 6 мая 1970)
  29. I. Hayashi, M.B. Panish, P.W. Foy, S. Sumski. Appl. Phys. Lett., 17, 109 (1970) (Submitted June 8, 1970)
  30. Zh.I. Alferov, V.M. Andreev, S.G. Konnikov, V.G. Nikitin, D.N. Tret'akov. Proc. Int. Conf. on Physics and Chemistry of Semiconductor Heterojunctions and Layer Structures (Budapest, October 1970) [Academiai Kiado, 1, 93 (1971)]
  31. G.A. Antipas, R.L. Moon, L.W. James, J. Edgecumbe, R.L. Bell. Conf. Ser. IOP, 17, 48 (1973)
  32. L. James, G. Antipas, R. Moon, J. Edecumbe, R.L. Bell. Appl. Phys. Lett., 22, 270 (1973)
  33. А.П. Богатов, Л.М. Долгинов, Л.В. Дружинина, П.Г. Елисеев, Б.Н. Свердлова, Е.Г. Шевченко. Квант. электрон., 1, 2294 (1974); J.J. Hsieh. Appl. Phys. Lett., 28, 283 (1976)
  34. Ж.И. Алферов, И.Н. Арсентьев, Д.З. Гарбузов, С.Г. Конников, В.Д. Румянцев. Письма ЖТФ, 1, 305 (1975) (Послана в печать 23 января 1975); Письма ЖТФ, 1, 406 (1975) (Послана в печать 26 февраля 1975); W.R. Hitchens, N. Holonyak Jr., P.D. Wright, J.J. Coleman. Appl. Phys. Lett., 27, 245 (1975) (Submitted May 23, 1975)
  35. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Р.Ф. Казаринов, Е.Л. Портной, Р.А. Сурис. А. с. N 392875, заявка N 1677436 с приоритетом от 19 июля 1971
  36. H. Kogelnik, C.V. Shank. Appl. Phys. Lett., 18, 152 (1971)
  37. Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис. ФТП, 6, 1359 (1972)
  38. Ж.И. Алферов С.А. Гуревич, Р.Ф. Казаринов, М.Н. Мизеров, Е.Л. Портной, Р.П. Сейсян, Р.А. Сурис. ФТП, 8, 832 (1974); Ж.И. Алферов, С.А. Гуревич, Н.В. Клепикова, В.И. Кучинский, М.Н. Мизеров, Е.Л. Портной. Письма ЖТФ, 1, 645 (1975)
  39. M. Nakamura, A. Yariv, H.W. Yen, S. Somekh, H.L. Garvin. Appl. Phys. Lett., 22, 315 (1973)
  40. D.R. Scifres, R.D. Burnham, W. Streifer. Appl. Phys. Lett., 25, 203 (1974)
  41. H. Kroemer, G. Griffiths. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-4, 20 (1983)
  42. А.Н. Баранов, Б.Е. Джуртанов, А.Н. Именков, А.А. Рогачев, Ю.М. Шерняков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 20, 2217 (1986)
  43. A.Y. Cho. J. Vac. Sci. Technol., 8, 31 (1971); A.Y. Cho. Appl. Phys. Lett., 19, 467 (1971)
  44. H.M. Manasevit. Appl. Phys. Lett., 12, 156 (1968)
  45. R.D. Dupuis, P.D. Dapkus. Appl. Phys. Lett., 31, 466 (1977)
  46. R. Dingle, W. Wiegmann, C.H. Henry. Phys. Rev. Lett., 33, 827 (1974)
  47. L. Esaki, R. Tsu. IBM J. Res. Dev., 14, 61 (1970)
  48. Л.В. Келдыш. ФТТ, 4, 2265 (1962)
  49. Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис. ФТП, 5, 707 (1971); ФТП, 6, 120 (1972); ФТП, 7, 347 (1973)
  50. R. Tsu, L. Esaki. Appl Phys. Lett., 22, 562 (1973)
  51. G. Osbourn. J. Appl. Phys., 53, 1586 (1982)
  52. M. Ludowise, W.T. Dietze, C.R. Lewis, M.D. Camras, N. Holonyak, B.K. Fuller, M.A. Nixon. Appl. Phys. Lett., 42, 487 (1983)
  53. L.L. Chang, L. Esaki, W.E. Howard, R. Ludke. J. Vac. Sci. Technol., 10, 11 (1973)
  54. L.L. Chang, L. Esaki, R. Tsu. Appl. Phys. Lett., 24, 593 (1974)
  55. L. Esaki, L.L. Chang. Phys. Rev. Lett., 33, 686 (1974).
  56. J.R. Shriffer. Semiconductor Surface Physics, ed. by R.H. Kingston (University of Pennsylvania Press, Philadelphia) p. 68.
  57. A.B. Fowler, F.F. Fang, W.E. Howard, P.J. Stilee. Phys. Rev. Lett., 16, 901 (1966)
  58. V.N. Lutskii. Phys. St. Sol. (a), 1, 199 (1970)
  59. R. Dingle, H.L. Stormer, H.L. Gossard, W. Wiegmann. Appl. Phys. Lett., 33, 665 (1978)
  60. D. Delagebeaudeuf et al. Electron. Lett., 16, 667 (1980)
  61. T. Mimura, S. Hiyamizu, T. Fuji, K.A. Nanbu. Jpn. J. Appl. Phys., 19, L225 (1980)
  62. J.P. van der Ziel, R. Dingle, R.C. Miller, W. Wiegmann, W.A. Nordland Jr. Appl. Phys. Lett., 26, 463 (1975)
  63. R.D. Dupuis, P.D. Dapkus, N. Holonyak Jr., E.A. Rezek, R. Chin. Appl. Phys. Lett., 32, 295 (1978)
  64. W.T. Tsang. Appl. Phys. Lett., 40, 217 (1982)
  65. E. Rezek, H. Shichijo, B.A. Vojak, N. Holonyak Jr. Appl. Phys. Lett., 31, 534 (1977)
  66. Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, И.Н. Арсентьев, Б.Я. Бер, Л.С. Вавилова, В.В. Красовский, А.В. Чудинов. ФТП, 19, 1108 (1985)
  67. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, А.А. Воднев, С.Г. Конников, В.Р. Ларионов, К.Ю. Погребицкий, В.Д. Румянцев, В.П. Хвостиков. Письма ЖТФ, 12, 1089 (1986)
  68. Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, К.Ю. Кижаев, А.Б. Нивин, С.А. Никишин, А.В. Овчинников, З.П. Соколова, И.С. Тарасов, А.В. Чудинов. Письма ЖТФ, 12, 210 (1986); Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, С.В. Зайцев, А.Б. Нивин, А.В. Овчинников, И.С. Тарасов. ФТП, 21, 914 (1987)
  69. Ж.И. Алферов, Н.Ю. Антонишкис, И.Н. Арсентьев, Д.З. Гарбузов, В.И. Колышкин, Т.Н. Налет, Н.А. Стругов, А.С. Тикунов. ФТП, 22, 1031 (1988); D.Z. Garbuzov et al. Technical Digest CLEO, paper THU44, 396 (1988)
  70. D.Z. Garbuzov et al. Conf. Digest 12th Int. Semicond. Laser Conf. (Davos, Switzerland, 1990) р.238
  71. Ж.И. Алферов, А.И. Васильев, С.В. Иванов, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.Э. Луценко, Б.Я. Мельцер, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 14, 1803 (1988)
  72. J. Faist et al. Science, 264, 553 (1994); Electron. Lett., 30, 865 (1994)
  73. K.V. Klitzing, G. Dorda, M. Pepper. Phys. Rev. Lett., 45, 494 (1980)
  74. D.C. Tsui, H.L. Stormer, A.C. Gossard. Phys. Rev. Lett., 48, 1559(1982)
  75. P.M. Petroff, P, A.C. Gossard, R.A. Logan, W. Wiegman. Appl. Phys. Lett., 41, 635 (1982)
  76. Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982)
  77. S. Simhony, E. Kapon, T. Colas, D.M. Hwang, N.G. Stoffel, P. Worland. Appl. Phys. Lett., 59, 2225 (1991)
  78. А.И. Екимов, А.А. Анущенко. Письма ЖЭТФ, 34, 363 (1981)
  79. Ал.Л. Эфрос, А.Л. Эфрос. ФТП, 16, 1209 (1982)
  80. L. Goldstein, F. Glas, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, G.Le. Roux. Appl. Phys. Lett., 47, 1099 (1985)
  81. А.Ф. Андреев. ЖЭТФ, 80, 2042 (1981)
  82. В.И. Марченко. ЖЭТФ, 81, 1141 (1981); Письма ЖЭТФ, 33, 307 (1981)
  83. R. Notzel, N.N. Ledentsov, L. Daweritz, M. Hohenstein, K. Ploog. Phys. Rev. Lett., 67, 3812 (1991)
  84. V.A. Shchukin, A.I. Borovkov, N.N. Ledеntsov, P.S. Kop'ev. Phys. Rev. B, 51, 17 767 (1995)
  85. P.D. Wang, N.N. Ledentsov, C.M. Sotomayor Torres, P.S. Kop'ev, V.M. Ustinov. Appl. Phys. Lett., 64, 1526 (1994)
  86. V. Bressler Hill, A. Lorke, S. Varma, P.M. Petroff, K. Pond, W.H. Weinberg. Phys. Rev. B, 50, 8479 (1994)
  87. N.N. Ledentsov et al. Proc. 22nd Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (Vancouver, Canada, 1994) (World Scientific, Singapure, 1995)
  88. Ж.И. Алферов, Н.Ю. Гордеев, С.В. Зайцев, П.С. Копьев. И.В. Кочнев, В.В. Хомин, И.Л. Крестников. Н.Н. Леденцов, А.В. Лунев, М.В. Максимов, С.С. Рувимов, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, Ю.М. Шерняков, Д. Бимберг. ФТП, 30, 357 (1996)
  89. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg. Phys. Rev. Lett., 75, 2968 (1995); V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, M. Grundman, P.S. Kop'ev, D. Bimberg. Surf. Sci. (1996)
  90. Ж.И. Алферов, Н.А. Берт, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, А.О. Косогов, И.Л. Крестников, Н.Н. Леденцов, А.В. Лунев, М.В. Максимов, А.В. Сахаров, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Ю.М. Шерняков, Д. Бимберг. ФТП., 30, 351 (1996)
  91. M. Grundman et al. Phys. Rev. Lett., 74, 4043 (1995)
  92. N. Kirstaedter et al. Electron. Lett., 30, 1416 (1994)
  93. М.В. Максимов и др. ФТП, 31, 670 (1997)
  94. М. Grundman et al. Proc. 8th Int. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials (Schwabish Gmund, Germany, 1996)
  95. V.M. Ustinov et al. IX Int. Conf. on MBE (Malibu, USA, August 1996) (Proceedings to be published in J. Cryst. Growth)
  96. F. Hatami, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, J. Bohrer, F. Heinrichsdorff, M. Beer, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 67, 656 (1995).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.