"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
История и будущее полупроводниковых гетероструктур
Алферов Ж.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 1 января 1998 г.

Описана история создания полупроводниковых гетероструктур и их применений в различных электронных приборах. Также приведен краткий исторический обзор развития физики, технологии изготовления и применений квантовых ям и сверхрешеток. Обсуждаются успехи последних лет в области создания структур с квантовыми проволоками и, особенно, с квантовыми точками, а также тенденции и перспективы развития и применения этих новых типов гетероструктур.
  • В.П. Жузе, Б.В. Курчатов. ЖЭТФ, 2, 309 (1932); V.P. Zhuze, B.V. Kurchatov. Phyz. Zs. SU, 2, N 6, 463 (1932)
  • Ya.I. Frenkel, A.F. Ioffe. Phys. Z.d. SU, Bd. 1, H. 1, 60 (1932)
  • Я.И. Френкель. Phys. Rev., 37, 17 (1931); Phys. Rev., 37, 1276 (1931); ЖЭТФ, 6, 647 (1936)
  • Е.Ф Гросс, Н.А. Кариев. ДАН СССР, 84, 261 (1952); Е.Ф Гросс, Н.А. Кариев. ДАН СССР, 84, 471 (1952)
  • Б.И. Давыдов. ЖЭТФ, 9, 451 (1939)
  • N.H. Welker. Zs. Naturforsch., 7-=SUP=-а-=/SUP=-, 744 (1952); Zs. Naturforsch., 8-=SUP=-а-=/SUP=-, 248 (1953)
  • Н.А. Горюнова. Автореф. дис. (ЛГУ, ФТИ, 1951); А.И. Блюм, Н.П. Мокровский, А.Р. Регель. Тр. VII конф. по свойствам полупроводников (Киев, 1950) [Изв. АН СССР. Сер. физ., XVI, 139 (1952).]
  • W. Shokley. US Patent 2569347, September 25 (1951)
  • А.И. Губанов. ЖТФ, 20, 1287 (1950); ЖТФ, 21, 304 (1951)
  • H. Kroemer. Proc. JRE, 45, 1535 (1957); RCA Rev., 28, 332 (1957)
  • Ж.И. Алферов, Р.Ф. Казаринов. А. c. N 181737, заявка N 950840 с приоритетом от 30 марта 1963; H. Kroemer. Proc. IEEE, 51, 1782 (1963) (Submitted October 14, 1963)
  • Ж.И. Алферов, В.Б. Халфин, Р.Ф. Казаринов. ФТТ, 8, 3102 (1966) (Послана в печать 20 апреля 1966)
  • Ж.И. Алферов. ФТП, 1, 436 (1967). (Послана в печать 11 ноября 1966)
  • L. Anderson. IBM J. Res. Develop., 4, 283 (1960); Sol. St. Electron., 5, 341 (1962)
  • G. Natta, L. Passerini. Gazz. Chim. Ital., 58, 458 (1928); V.M. Goldschmidt. Trans. Farad. Soc., 25, 253 (1929)
  • Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, В.С. Григорьева, Ю.В. Жиляев, Л.В. Крадинова, В.И. Корольков, Е.П. Морозов, О.А. Нинуа, Е.Л. Портной, В.Д. Прочухан, М.К. Трукан. ФТТ, 9, 279 (l967) (Послана в печать 15 июля 1966)
  • Ж.И. Алферов, Ю.В. Жиляев, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 5, 196 (1971) (Послана в печать 10 cентября 1970)
  • Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.И. Корольков, Д.Н. Третьяков, В.М. Тучкевич. ФТП, 1, 1579 (1967) (Послана в печать 18 мая 1967); H.S. Rupprecht, I.M. Woodall, G.D. Pettit. Appl. Phys. Lett., 11, 81 (1967) (Submitted June 19, 1967)
  • Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.И. Корольков, Е.Л. Портной, Д.Н. Третьяков. ФТП, 2, 1016 (1968) (Послана в печать 13 сентября 1967)
  • Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.И. Корольков, Е.Л. Портной, Д.Н. Третьяков. ФТП, 2, 1545 (1968) (Послана в печать 5 мая 1968)
  • a) Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.И. Корольков, Е.Л. Портной, Д.Н. Третьяков. Тр. IX межд. конф. по полупроводниковым структурам (Москва, 23--29 июля 1968) (Л., Наука, 1969) 1, 534; b) Zh.I. Alferov. Proc. Int. Conf. on Luminescence (Newark, Delaware USA, August 25--29, 1969); J. Luminesc., 1, 2, 869 (1970); c) Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, Е.П. Морозов, Е.Л. Портной. ФТП, 3, 1054 (1969); d) Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.И. Корольков, Е.Л. Портной, А.А. Яковенко. ФТП, 3, 541 (1969)
  • Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Е.Л. Портной, М.К. Трукан. ФТП, 3, 1328 (1969) (Послана в печать 30 декабря 1968)
  • Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.И. Корольков, Е.Л. Портной, А.А. Яковенко. ФТП, 3, 930 (1969) (Послана в печать 26 декабря 1968)
  • Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, М.В. Каган, И.И. Протасов, В.Г. Трофим. ФТП, 4, 2378 (1970) (Послана в печать 10 июня 1970)
  • Ж.И. Алферов, Ф.А. Ахмедов, В.И. Корольков, В.Г. Никитин. ФТП, 7, 1159 (1973)
  • Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.И. Корольков, В.Г. Никитин, А.А. Яковенко. ФТП, 4, 578 (1970)
  • I. Hayashi. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-31, 1630 (1984)
  • Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Ю.В. Жиляев, Е.П. Морозов, Е.Л. Портной, В.Г. Трофим. ФТП, 4, 1826 (1970) (Послана в печать 6 мая 1970)
  • I. Hayashi, M.B. Panish, P.W. Foy, S. Sumski. Appl. Phys. Lett., 17, 109 (1970) (Submitted June 8, 1970)
  • Zh.I. Alferov, V.M. Andreev, S.G. Konnikov, V.G. Nikitin, D.N. Tret'akov. Proc. Int. Conf. on Physics and Chemistry of Semiconductor Heterojunctions and Layer Structures (Budapest, October 1970) [Academiai Kiado, 1, 93 (1971)]
  • G.A. Antipas, R.L. Moon, L.W. James, J. Edgecumbe, R.L. Bell. Conf. Ser. IOP, 17, 48 (1973)
  • L. James, G. Antipas, R. Moon, J. Edecumbe, R.L. Bell. Appl. Phys. Lett., 22, 270 (1973)
  • А.П. Богатов, Л.М. Долгинов, Л.В. Дружинина, П.Г. Елисеев, Б.Н. Свердлова, Е.Г. Шевченко. Квант. электрон., 1, 2294 (1974); J.J. Hsieh. Appl. Phys. Lett., 28, 283 (1976)
  • Ж.И. Алферов, И.Н. Арсентьев, Д.З. Гарбузов, С.Г. Конников, В.Д. Румянцев. Письма ЖТФ, 1, 305 (1975) (Послана в печать 23 января 1975); Письма ЖТФ, 1, 406 (1975) (Послана в печать 26 февраля 1975); W.R. Hitchens, N. Holonyak Jr., P.D. Wright, J.J. Coleman. Appl. Phys. Lett., 27, 245 (1975) (Submitted May 23, 1975)
  • Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Р.Ф. Казаринов, Е.Л. Портной, Р.А. Сурис. А. с. N 392875, заявка N 1677436 с приоритетом от 19 июля 1971
  • H. Kogelnik, C.V. Shank. Appl. Phys. Lett., 18, 152 (1971)
  • Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис. ФТП, 6, 1359 (1972)
  • Ж.И. Алферов С.А. Гуревич, Р.Ф. Казаринов, М.Н. Мизеров, Е.Л. Портной, Р.П. Сейсян, Р.А. Сурис. ФТП, 8, 832 (1974); Ж.И. Алферов, С.А. Гуревич, Н.В. Клепикова, В.И. Кучинский, М.Н. Мизеров, Е.Л. Портной. Письма ЖТФ, 1, 645 (1975)
  • M. Nakamura, A. Yariv, H.W. Yen, S. Somekh, H.L. Garvin. Appl. Phys. Lett., 22, 315 (1973)
  • D.R. Scifres, R.D. Burnham, W. Streifer. Appl. Phys. Lett., 25, 203 (1974)
  • H. Kroemer, G. Griffiths. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-4, 20 (1983)
  • А.Н. Баранов, Б.Е. Джуртанов, А.Н. Именков, А.А. Рогачев, Ю.М. Шерняков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 20, 2217 (1986)
  • A.Y. Cho. J. Vac. Sci. Technol., 8, 31 (1971); A.Y. Cho. Appl. Phys. Lett., 19, 467 (1971)
  • H.M. Manasevit. Appl. Phys. Lett., 12, 156 (1968)
  • R.D. Dupuis, P.D. Dapkus. Appl. Phys. Lett., 31, 466 (1977)
  • R. Dingle, W. Wiegmann, C.H. Henry. Phys. Rev. Lett., 33, 827 (1974)
  • L. Esaki, R. Tsu. IBM J. Res. Dev., 14, 61 (1970)
  • Л.В. Келдыш. ФТТ, 4, 2265 (1962)
  • Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис. ФТП, 5, 707 (1971); ФТП, 6, 120 (1972); ФТП, 7, 347 (1973)
  • R. Tsu, L. Esaki. Appl Phys. Lett., 22, 562 (1973)
  • G. Osbourn. J. Appl. Phys., 53, 1586 (1982)
  • M. Ludowise, W.T. Dietze, C.R. Lewis, M.D. Camras, N. Holonyak, B.K. Fuller, M.A. Nixon. Appl. Phys. Lett., 42, 487 (1983)
  • L.L. Chang, L. Esaki, W.E. Howard, R. Ludke. J. Vac. Sci. Technol., 10, 11 (1973)
  • L.L. Chang, L. Esaki, R. Tsu. Appl. Phys. Lett., 24, 593 (1974)
  • L. Esaki, L.L. Chang. Phys. Rev. Lett., 33, 686 (1974).
  • J.R. Shriffer. Semiconductor Surface Physics, ed. by R.H. Kingston (University of Pennsylvania Press, Philadelphia) p. 68.
  • A.B. Fowler, F.F. Fang, W.E. Howard, P.J. Stilee. Phys. Rev. Lett., 16, 901 (1966)
  • V.N. Lutskii. Phys. St. Sol. (a), 1, 199 (1970)
  • R. Dingle, H.L. Stormer, H.L. Gossard, W. Wiegmann. Appl. Phys. Lett., 33, 665 (1978)
  • D. Delagebeaudeuf et al. Electron. Lett., 16, 667 (1980)
  • T. Mimura, S. Hiyamizu, T. Fuji, K.A. Nanbu. Jpn. J. Appl. Phys., 19, L225 (1980)
  • J.P. van der Ziel, R. Dingle, R.C. Miller, W. Wiegmann, W.A. Nordland Jr. Appl. Phys. Lett., 26, 463 (1975)
  • R.D. Dupuis, P.D. Dapkus, N. Holonyak Jr., E.A. Rezek, R. Chin. Appl. Phys. Lett., 32, 295 (1978)
  • W.T. Tsang. Appl. Phys. Lett., 40, 217 (1982)
  • E. Rezek, H. Shichijo, B.A. Vojak, N. Holonyak Jr. Appl. Phys. Lett., 31, 534 (1977)
  • Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, И.Н. Арсентьев, Б.Я. Бер, Л.С. Вавилова, В.В. Красовский, А.В. Чудинов. ФТП, 19, 1108 (1985)
  • Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, А.А. Воднев, С.Г. Конников, В.Р. Ларионов, К.Ю. Погребицкий, В.Д. Румянцев, В.П. Хвостиков. Письма ЖТФ, 12, 1089 (1986)
  • Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, К.Ю. Кижаев, А.Б. Нивин, С.А. Никишин, А.В. Овчинников, З.П. Соколова, И.С. Тарасов, А.В. Чудинов. Письма ЖТФ, 12, 210 (1986); Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, С.В. Зайцев, А.Б. Нивин, А.В. Овчинников, И.С. Тарасов. ФТП, 21, 914 (1987)
  • Ж.И. Алферов, Н.Ю. Антонишкис, И.Н. Арсентьев, Д.З. Гарбузов, В.И. Колышкин, Т.Н. Налет, Н.А. Стругов, А.С. Тикунов. ФТП, 22, 1031 (1988); D.Z. Garbuzov et al. Technical Digest CLEO, paper THU44, 396 (1988)
  • D.Z. Garbuzov et al. Conf. Digest 12th Int. Semicond. Laser Conf. (Davos, Switzerland, 1990) р.238
  • Ж.И. Алферов, А.И. Васильев, С.В. Иванов, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.Э. Луценко, Б.Я. Мельцер, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 14, 1803 (1988)
  • J. Faist et al. Science, 264, 553 (1994); Electron. Lett., 30, 865 (1994)
  • K.V. Klitzing, G. Dorda, M. Pepper. Phys. Rev. Lett., 45, 494 (1980)
  • D.C. Tsui, H.L. Stormer, A.C. Gossard. Phys. Rev. Lett., 48, 1559(1982)
  • P.M. Petroff, P, A.C. Gossard, R.A. Logan, W. Wiegman. Appl. Phys. Lett., 41, 635 (1982)
  • Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982)
  • S. Simhony, E. Kapon, T. Colas, D.M. Hwang, N.G. Stoffel, P. Worland. Appl. Phys. Lett., 59, 2225 (1991)
  • А.И. Екимов, А.А. Анущенко. Письма ЖЭТФ, 34, 363 (1981)
  • Ал.Л. Эфрос, А.Л. Эфрос. ФТП, 16, 1209 (1982)
  • L. Goldstein, F. Glas, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, G.Le. Roux. Appl. Phys. Lett., 47, 1099 (1985)
  • А.Ф. Андреев. ЖЭТФ, 80, 2042 (1981)
  • В.И. Марченко. ЖЭТФ, 81, 1141 (1981); Письма ЖЭТФ, 33, 307 (1981)
  • R. Notzel, N.N. Ledentsov, L. Daweritz, M. Hohenstein, K. Ploog. Phys. Rev. Lett., 67, 3812 (1991)
  • V.A. Shchukin, A.I. Borovkov, N.N. Ledеntsov, P.S. Kop'ev. Phys. Rev. B, 51, 17 767 (1995)
  • P.D. Wang, N.N. Ledentsov, C.M. Sotomayor Torres, P.S. Kop'ev, V.M. Ustinov. Appl. Phys. Lett., 64, 1526 (1994)
  • V. Bressler Hill, A. Lorke, S. Varma, P.M. Petroff, K. Pond, W.H. Weinberg. Phys. Rev. B, 50, 8479 (1994)
  • N.N. Ledentsov et al. Proc. 22nd Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (Vancouver, Canada, 1994) (World Scientific, Singapure, 1995)
  • Ж.И. Алферов, Н.Ю. Гордеев, С.В. Зайцев, П.С. Копьев. И.В. Кочнев, В.В. Хомин, И.Л. Крестников. Н.Н. Леденцов, А.В. Лунев, М.В. Максимов, С.С. Рувимов, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, Ю.М. Шерняков, Д. Бимберг. ФТП, 30, 357 (1996)
  • V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg. Phys. Rev. Lett., 75, 2968 (1995); V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, M. Grundman, P.S. Kop'ev, D. Bimberg. Surf. Sci. (1996)
  • Ж.И. Алферов, Н.А. Берт, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, А.О. Косогов, И.Л. Крестников, Н.Н. Леденцов, А.В. Лунев, М.В. Максимов, А.В. Сахаров, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Ю.М. Шерняков, Д. Бимберг. ФТП., 30, 351 (1996)
  • M. Grundman et al. Phys. Rev. Lett., 74, 4043 (1995)
  • N. Kirstaedter et al. Electron. Lett., 30, 1416 (1994)
  • М.В. Максимов и др. ФТП, 31, 670 (1997)
  • М. Grundman et al. Proc. 8th Int. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials (Schwabish Gmund, Germany, 1996)
  • V.M. Ustinov et al. IX Int. Conf. on MBE (Malibu, USA, August 1996) (Proceedings to be published in J. Cryst. Growth)
  • F. Hatami, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, J. Bohrer, F. Heinrichsdorff, M. Beer, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 67, 656 (1995).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.