Вышедшие номера
Исследование экситонной электролюминесценции p-n-структур на основе 6H-SiC, полученных сублимационной эпитаксией
Лебедев А.А.1, Полетаев Н.К.1, до Кармо М.Ц.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет Авейро, Авейро, Португалия
Поступила в редакцию: 30 января 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.

Проведено исследование спектров электролюминесценции p-n-структур на основе 6H-SiC, полученных сублимационной эпитаксией. Обнаружено, что интенсивность экситонной полосы быстро увеличивается с ростом плотности прямого тока и что данная полоса становится преобладающей в спектре излучения диода при больших плотностях прямого тока и повышенных температурах. Исследование сдвига положения максимума излучения данной полосы с ростом температуры показывает, что она скорее всего обусловлена рекомбинацией свободного экситона.