Вышедшие номера
Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипного гетероперехода Pb0.93Sn0.07Se/PbSe
Гаврикова Т.А.1, Зыков В.А.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.

Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства резких анизотипных гетеропереходов p-Pb0.93Sn0.07Se/n-PbSe с концентрациями дырок в кристалле твердого раствора 1·1016/2·1018 см-3 и электронов в пленке PbSe 1·1017/5· 1018 см-3, изготовленных методом вакуумной эпитаксии пленки PbSe на монокристалл твердого раствора. Определены условия приготовления резких анизотипных гетеропереходов с минимальной плотностью состояний на металлургической границе (4· 1010см-2). Проанализированы зависимости сигнала фотоответа от концентрации носителей тока в базовых областях и особенности спектрального распределения фоточувствительности. Исследованы прямые и обратные вольт-амперные характеристики. В приближении модели идеального гетероперехода построена зонная диаграмма.
  1. Фотоприемники видимого и ИК диапазона, под ред. Р.Ж. Киеса (М., 1985)
  2. Ф.Ф. Сизов. Зарубеж. электрон. техн., 24, 31 (1977)
  3. H. Preier. Infr. Phys., 18, 43 (1978)
  4. В.П. Зломанов, А.В. Новоселова. P-T-x диаграммы состояния систем металл--халькоген (М., 1987)
  5. Г.А. Калюжная, К.В. Киселева. Тр. ФИАН, 177, 5 (1987)
  6. G. Nimtz, B. Schliht. Springer Tracts in Mod. Phys., 98 (1983)
  7. T.C. Harman, I. Mendailis. Sol. St. Sci., 4, 1 (1974)
  8. A. Lopez-Otero. Thin Sol. Films, 49, 3 (1978)
  9. Т.А. Гаврикова, В.А. Зыков. Электрон. техн. Материалы, вып. 7, 35 (1990)
  10. B. Bretsameter, W. Harman, H. Lane. Kristal Technik, 15, 497 (1978)
  11. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.