Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Преобразование центров красной и инфракрасной люминесценции при электронном облучении и отжиге монокристаллов CdS и CdS : Cu

Давидюк Г.Е.¹, Богданюк Н.С.¹, Шаварова А.П.¹, Федонюк А.А.¹

¹Волынский государственный университет им.Л.Украинки, Луцк, Украина

Поступила в редакцию: 3 июня 1996 г.

Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы центры свечения и их преобразование при электронном облучении и отжиге в специально не легированных и легированных медью монокристаллах CdS. Атомы Cu, взаимодействуя в основном с дефектами в кадмиевой подрешетке, образуют центры Cu_Cd, ответственные за люминесценцию при длинах волн lambda_m=0.98/1.00 мкм. При температурах отжига, больших 50 ^oC, вследствие увеличения подвижности точечных дефектов как в кадмиевой, так и в серной подрешетках CdS : Cu происходит преобразование комплексов дефектов, ответственных за полосы зеленой (lambda_m=0.514 мкм), красной (lambda_m=0.72 мкм) и инфракрасной (lambda_m=0.98 мкм) люминесценции.

В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
R.O. Chester. J. Appl. Phys., 38, 1745 (1967)
Г.Е. Давидюк, Н.С. Богданюк, А.П. Шаварова. ФТП, 28, 2056 (1994)
Н.С. Богданюк, Г.Е. Давидюк, А.П. Шаварова. ФТП, 29, 201 (1995)
Н.С. Богданюк, Г.Е. Давидюк, А.П. Шаварова. ФТП, 29, 357 (1995)
B.A. Kulp. Phys. Rev., 125, 1865 (1965)
И.Б. Ермолович, Г.И. Матвиевская, Г.С. Пекарь, М.К. Шейнкман. Укр. физ. журн., 18, 733 (1973)
J.E. Ralph. Phys. St. Sol. (a), 53, 611 (1979)
А.П. Галушка, Г.Е. Давидюк, В.Т. Мак, В.И. Куц, Н.С. Богданюк. ФПТ, 9, 2174 (1975)
С.С. Остапенко, М.К. Шейнкман, Ю.Н. Эмиров. ФТП, 15, 1747 (1981)
T. Yoshiie, H. Jwanaga, N. Shibata, M. Ichihara, K. Suzuki, S. Takekchi. Def. Rad. Effects. Semicond. [ Proc. 11 Int. Conf. (Bristol--London, 1981) p. 443]
А.М. Гурвич. Введение в физическую химию кристаллофосфоров (М., Высш. шк., 1982)
Дж. Уоткинс. В сб.: Точечные дефекты в твердых телах (М., Мир, 1979) с. 221

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель