Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Рентгеноспектральный микроанализ легированных монокристаллов PbTe и Pb0.8Sn0.2Te
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 22 января 1997 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.
В монокристаллах PbTe и Pb0.8Sn0.2Te с естественной огранкой, легированных цинком и кадмием, проведено исследование распределения элементов. Показано образование многослойной структуры, наружный слой которой представляет собой ZnTe (CdTe), а под ним располагается металлический слой.
- Н.Х. Абрикосов, Л.Е. Шелимова. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI (М., Наука, 1975)
- В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 28, 369 (1994)
- Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (Л., Наука, 1972)
- М.В. Бестаев, Т.Т. Дедегкаев, В.А. Мошников. ФТТ, 27, 1868 (1985)
- М.В. Бестаев, Т.Т. Дедегкаев, В.А. Мошников. ФТТ, 26, 2200 (1984)
- А.В. Новоселова, В.П. Зломанов, А.М. Гаськов, Л.И. Рябова, М.А. Лазаренко. Вестн. МГУ. Химия, 22, N 1, 3 (1982)
- М.В. Бестаев, Т.Т. Дедегкаев, Т.Б. Жукова, Н.В. Сиукаев. В сб.: Тез. докл. IV Всес. совещ. по кинетике и механизму химических реакций в твердом теле (Ин-т ХФ АН СССР, Черноголовка, 1986)
- М.В. Бестаев, А.И. Горелик, В.В. Томаев. Изв. СПбГЭТУ, вып. 495, 41 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
