Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1997, выпуск 8 » Статья стр. 902
<<<>>>
Формирование наноструктур InGaAs/GaAs методами субмонослойного напыления из молекулярных пучков
Цырлин Г.Э.1, Петров В.Н.1, Дубровский В.Г.1, Поляков Н.К.1, Типисев С.Я.1, Голубок А.О.1, Леденцов Н.Н.2
1Институт аналитическогоо приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 октября 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.
PDF версия
Методом сканирующей туннельной микроскопии исследованы морфологические характеристики ансамбля нанообъектов InGaAs/GaAs на сингулярных и вицинальных поверхностях GaAs (100). Наноструктуры формировались с использованием различных модификаций молекулярно-пучковой эпитаксии. Установлено, что на морфологию поверхности оказывает сильное влияние как кинетика роста, так и умышленная разориентация поверхности.
  1. В.И. Марченко. ЖЭТФ, 81, 1141 (1981).
  2. Y.-W. Mo, B.S. Swartzentruber, R. Kariotis, M.B. Webb, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett. 63, 2393 (1989)
  3. I. Goldstein, F. Glas, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, G. Le Roux. Appl. Phys. Lett., 47, 1099 (1985)
  4. R. Nozel, N.N. Ledentsov, L. Daweritz, M. Hohenstein, K. Ploog K. Phys. Rev. Lett., 67, 3812 (1991)
  5. J. Tersoff, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett., 70, 2782 (1993)
  6. M. Grundmann, J. Christen, N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenriech, M.V. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. Lett., 74, 4043 (1995)
  7. R. Leon, S. Fafard. D. Leonard, J.I. Merz, P.M. Petroff. Phys. Rev. B, 50, 11 687 (1994)
  8. N. Kirstaedter, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, S.S. Ruvimov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, U. Richter, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich. Electron. Lett., 30, 1416 (1994)
  9. D.S.I. Mui, D. Leonard, L.A. Coldren, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 66, 1620 (1995)
  10. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg. Phys. Rev. Lett., 75, 2968 (1995)
  11. C. Priester, M. Lanoo. Phys. Rev. Lett., 75, 93 (1995)
  12. N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Christen, R. Heitz, J. Bohrer, F. Heinrichsdorff, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Proc. 22th Int. Conf. on Physics of Semicond. Vancouver, Canada, 1994 ed by D.J. Lookwood (World Scientific, Singapore, 1995) v. 3, p. 1855
  13. G.E. Cirlin, G.M. Guryanov, A.O. Golubok, S.Ya. Tipissev, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, M. Grundmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 67, 97 (1995)
  14. N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, R. Heitz, J. Bohrer, D. Bimberg, V.M. Ustinov, V.A. Shchukin, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, S. Zaitsev, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, A.O. Kosogov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenriech. Sol. St. Electron., 40, 785 (1996).
  15. Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Г.Э. Цырлин, В.Н. Петров, Г.М. Гурьянов. ФТП, 29, 1295 (1995)
  16. G.M. Guryanov, G.E. Cirlin, V.N. Petrov, N.K. Polyakov, A.O. Golubok, S.Ya. Tipissev, E.P. Musikhina, V.B. Gubanov, Yu.B. Samsonenko, N.N. Ledentsov. Surf. Sci. 331--333, 414 (1995)
  17. Г.М. Гурьянов, Н.Н. Леденцов, В.Н. Петров, Ю.Б. Самсоненко, Г.Э. Цырлин, А.Г. Филаретов. Письма ЖТФ, 19, вып. 18, 64 (1993)
  18. P.D. Wang, N.N. Ledentsov, C.M. Sotomayor Torres, P.S. Kop'ev, V.M. Ustinov. Appl. Phys. Lett., 64, 1526 (1994)
  19. Г.Э. Цырлин, А.О. Голубок, С.Я. Типисев, Н.Н. Леденцов, Г.М. Гурьянов. ФТП, 29, 1697 (1995)
  20. Y. Gonzalez, L. Gonzalez, F. Briones. J. Cryst. Growth. 111, 120 (1991)
  21. Г.М. Гурьянов, В.Н. Демидов, Н.П. Корнеева, Г.Э. Цырлин. ПТЭ, N 3, 167 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme