Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Аномальное распределение атомов железа при одновременной имплантации ионов Co⁺ и Fe⁺ в кремний

Гумаров Г.Г.¹, Петухов В.Ю.¹, Жихарев В.А.¹, Шустов В.А.¹, Хайбуллин И.Б.¹

¹Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань, Россия Zavoisky Physical-Technical Institute, FRC Kazan Scientific Center of RAS, Kazan, Russia

Zavoisky Physical-Technical Institute, FRC Kazan Scientific Center of RAS, Kazan, Russia

Поступила в редакцию: 13 марта 1996 г.

Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Обнаружено аномальное двугорбое распределение атомов Fe по глубине при одновременной имплантации ионов Fe⁺ и Co⁺ в Si при невысоких плотностях ионного тока (j=< 10 мкА/см²) и соотношении ионов железа и кобальта в пучке 1 : 3. Образование такого профиля происходит при условии, что время диффузии атомов железа к стокам (поверхности и области линейных дефектов в глубине образца) становится меньше эффективного времени силицидообразования.

E. Wieser, D. Panknin, W. Skorupa, G. Querner, W. Henrion, J. Albrecht. Nucl. Instr. Meth. B, 80/81, 867 (1993)
В.Ю. Петухов, И.Б. Хайбуллин, Г.Г. Гумаров. Тез. докл. I Рос. конф. по физике полупроводников (Н. Новгород, 1993) т. 2, с. 353
Г.Г. Гумаров, В.Ю. Петухов, В.А. Шустов, И.Б. Хайбуллин. Высокочистые вещества, N 2, 95 (1995).
V.Yu. Petukhov, I.B. Khaibullin, M.M. Zaripov, R. Groetzschel, H. Voelskow, R. Klabes. Phys. St. Sol. (a), 96, 463 (1986)
K. Radermacher, S. Mantl, Ch. Dieker, H. Holzbrecher, W. Speier, H. Luth. Proc. MRS (1992) v. 235, p. 273
M.F. Wu, J. De Wachter, P. Hendrickx, A.-M. Van Bavel, H. Pattyn, G. Langouche, J. Vanhellemont, H. Bender, M. Maenhoudt, Y. Bruyseraede. Appl. Phys. Lett., 63, 542 (1993).
В.Л. Винецкий, Г.А. Холодарь. Радиационная физика полупроводников (Киев, Наук. думка, 1979)
В.М. Глазов, В.С. Земсков. Физико-химические основы легирования полупроводников (М., Наука, 1967).
V.Yu. Petukhov, I.B. Khaibullin, M.M. Zaripov, E. Wieser, R. Groetzschel, H. Bartsch. Phys. St. Sol. (a), 117, 477 (1990)
K. Seshan, J. Washburn. Rad. Eff., 37, 147 (1978)
C.W.T. Bulle-Lieuwma, A.H. Van Ommen, L.J. van IJzendoorn. Appl. Phys. Lett., 54, 244 (1989)
F. Namavar, N.M. Kalkhoran, J.M. Manke, L. Luo, J.T. McGinn. Proc. MRS (1992) v. 235, p. 285.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель