Изучено влияние легирования марганцем в процессе выращивания на деградацию электрических и рекомбинационных параметров монокристалла кремния при gamma-облучении. Показано, что независимо от способа легирования наличие марганца приводит к уменьшению скорости накопления радиационных дефектов. Это объясняется образованием комплексов марганца, играющих роль центров непрямой аннигиляции радиационных дефектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.