Исследованы перестройка и стабильность радиационных дефектов с энергетическими уровнями E_c-0.14, E_v+0.29, E_v+0.35 и E_v+0.38 эВ в p-кремнии при инжекционных, электрополевых и термических воздействиях. Показано, что диссоциация инжекционно-отжигающегося дефекта с энергетическим уровнем E_c-0.14 эВ, образующегося при высокой скорости генерации первичных дефектов, приводит к увеличению концентрации междоузельного углерода (E_v+0.29 эВ), который при термическом отжиге идет на образование комплексов C_i- O_i или C_i- О_s с уровнем E_v+0.38 эВ. Последний при дальнейшем нагревании изменяет конфигурацию и дает энергетический уровень E_v+0.35 эВ. Предполагается, что инжекционно-отжигающийся дефект является двойным или расщепленным междоузлием кремния либо комплексом Si_i-С_i.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.