Исследованы электрические, оптические свойства и ЭПР монокристаллов РbТе : Еu (Мn) до и после воздействия ИК лазерного излучения в области прозрачности матрицы. Определены константы спин-гамильтониана для ионов Еu²⁺ и Мn²⁺. Для последних они соответствуют известным из литературы, а для ионов Еu²⁺ определены впервые: g=1.9975±0.0005, b₄=43±0.5 Э, b₆=-0.68±0..57 Э, A=28±0.5 Э (¹⁵¹Еu), A=12.7±0.5 Э (¹⁵³Еu). Установлено, что в кристаллах РbТе с содержанием 0.02=<sssim N_Eu=<sssim0.2 и 0.017=<sssim N_Mn=<sssim0.9вес% существуют скопления этих примесей, в результате влияния которых происходит уширение линий ЭПР, замывание сверхтонкой структуры, возникновение потенциальных барьеров, проявляющихся в особенностях проводимости и фотоэдс. Использование ИК лазерного облучения позволяет значительно повысить степень совершенства изученных кристаллов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.