Приведены результаты поляризационных исследований фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Сu-CdSiP₂ при 300 K в области 1-4 эВ. Обсуждаются спектральные зависимости естественного фотоплеохроизма полученных диодов на основании существующей модели зонного спектра GdSiP₂. Сделан вывод о возможности применения полученных структур в качестве фотоанализаторов линейно-поляризованного излучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.