Изучены магнитопримесные осцилляции фотопроводимости p-Ge, обусловленные резонансным в магнитном поле распадом экситонов на ионизованных акцепторах, сопровождающимся нейтрализацией акцептора и эмиссией электрона в зону проводимости. Показано, что к осцилляциям проводимости приводит увеличение в резонансах концентрации электронов. Объяснено явление инверсии осцилляций - смены минимумов поперечного магнитосопротивления максимума при включении инфракрасной примесной подсветки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.