"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Накопление E3-центров в n-GaAs при gamma-облучении в интервале температур 77/580 K
Брудный В.Н., Пешев В.В., Притулов А.М.
Выставление онлайн: 20 мая 1988 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.