Развита теория спектроскопии пограничных состояний (ПС) методом термостимулированного разряда МДП конденсатора в режиме стабилизации его емкости для случая произвольного спектра ПС и произвольной энергетической зависимости сечений захвата электронов sigma. Результаты применены для обработки экспериментальных данных, полученных на Al-SiO₂-n-Si-Ag - МОП структурах. В области энергий 0.2-0.35 эВ ниже дна зоны проводимости Si sigma~=const~=10^-16 см²; в области энергий 0.35-0.5 эВ наблюдаются ПС двух типов с различными sigma: sigma₁ изменяется в пределах 10^-15-10^-13, sigma₂ - в пределах 10^-16-10^-14 см².

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.