Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эффект самоструктурирования пластин монокристаллического кремния в условиях индукционного нагрева в вакууме

Мынбаева М.Г.¹, Лебедев С.П.¹, Лаврентьев А.А.¹, Мынбаев К.Д.^1,2, Головатенко А.А.^1,3,2, Лебедев А.А.¹, Николаев В.И.^1,3,2

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

³ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия Perfect Crystals LLC, Saint-Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 17 июля 2013 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Сообщается о наблюдении эффекта самоорганизованного структурирования поверхности пластин монокристаллического кремния в условиях высокочастотных отжигов, проводимых в углеродосодержащей атмосфере. Выявленный эффект может быть использован для создания новых безмасочных способов формирования структурированных материалов различного функционального назначения.

Zhe Chuan Feng, ed. III-Nitride Devices and Nanoengineering (Imperia College Press, London, 2008)
M. Ali, O. Svensk, L. Riuttanen, M. Kruse, S. Suihkonen, A.E. Romanov, P.T. Torma, M. Sopanen, H. Lipsanen, M.A. Odnoblyudov, V.E. Bougrov. Semicond. Sci. Technol., 27, 082 002 (2012)
H.Y. Lin, Y.J. Chen, C.L. Chang, X.F. Li, C.H. Kuo, S.C. Hsu, C.Y. Liu. J. Mater. Res., 27, 971 (2012)
K.D. Lee, R. Sjodin, T. Eriksson. LEDs Magazine, 37, 51 (2010)
Т.Г. Волова, Е.И. Шишацкая, П.В. Миронов. Материалы для медицины, клеточной и тканевой инженерии (электрон. учеб. пособие) (ИПК СФУ, Красноярск, 2009)
S.E. Saddow, ed. Silicon carbide biotechnology: biocompatible semiconductor for advanced biomedical devices and applications (Amsterdam, Elsevier, 2012)
M. Mynbaeva, A. Sitnikova, A. Tregubova, K. Mynbaev. J. Cryst. Growth, 303, 472 (2007)
M.G. Mynbaeva, A.A. Sitnikova, D.A. Kirilenko, I.S. Kotousova. J. Phys. D: Appl. Phys., 45, 335 303 (2012)
Д.Г. Громов, С.А. Гаврилов, Е.Н. Редичев, Р.М. Аммосов. ФТТ, 49, 172 (2007)
В.М. Иевлев. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 10, 48 (2009)
В.М. Глазов, С.Н. Чижевская, Н.Н. Глаголева. Жидкие полупроводники (М., Наука, 1967)
М.Г. Мынбаева, П.Л. Абрамов, А.А. Лебедев, А.С. Трегубова, Д.П. Литвин, А.В. Васильев, Т.Ю. Чемекова, Ю.Н. Макаров. ФТП, 45, 847 (2011)
Я.Е. Гегузин. Капля (М., Наука, 1977)
S.D. McCullen, S. Ramaswamy, L.I. Clarke, R.E. Gorga. WIREs Nanomed. Nanobiotechnol., 1, 369 (2009)
Y. Wang, Z. Li, J. Wang, J. Li, Y. Lin. Trends Biotechnol., 29, 205 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель