Лундин В.В.1, Николаев А.Е.2,1, Сахаров А.В.2,1, Усов С.О.1, Заварин Е.Е.2,1, Брунков П.Н.2, Яговкина М.А.2, Черкашин Н.А.3, Цацульников А.Ф.2,1
1Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Center for Material Elaboration & Structural Studies (CEMES) of the National Center for Scientific Research (CNRS), Toulouse, France
Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.
Исследованы AIIIN светодиодные структуры синего диапазона с активными областями на основе InGaN-наноостровков. Структуры были выращены методом МОС-гидридной эпитаксии на слоях GaN, выращенных с использованием различных методов начального формирования эпитаксиального слоя. Показано, что благодаря высокой локализации носителей в узкозонных InGaN-наноостровках эффективность электролюминесценции не зависит от плотности дислокаций и кристаллического совершенства материала.
- H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, Y. Toyoda. Appl. Phys. Lett., 48, 353 (1986)
- S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh. J. Appl. Phys., 71, 5543 (1992)
- H. Amano, M. Iwaya, T. Kashima, M. Katsuragawa, I. Akasaki, J. Han, S. Hearne, J.A. Floro, E. Chanson, J. Figel. Jpn. J. Appl. Phys., 37, L1540 (1998)
- K. Pakua, R. Bo'zek, J.M. Baranowski, J. Jasinski, Z. Liliental-Weber. J. Crystal Growth, 267, 1 (2004)
- Q. Li, J.J. Figiel, G.T. Wang. Appl. Phys. Lett., 94, 231 105 (2009)
- S.D. Lester, F.A. Ponce, M.G. Craford, D.A. Steigerwald. Appl. Phys. Lett., 66 (10), 1249 (1995)
- M.F. Schubert, S. Chhajed, J.K. Kim, E.F. Schubert, D.D. Koleske, M.H. Crawford, S.R. Lee, A.J. Fischer, G. Thaler, M.A. Banas. Appl. Phys. Lett., 91, 231 114 (2007)
- W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsulnikov, V.M. Ustinov. Semicond. Sci. Technol., 26 (1), 014 039 (2011)
- А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, А.Е. Николаев, Н.А. Черкашин, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, М.Н. Мизеров, H.S. Park, M. Hytch, F. Hue. ФТП, 44 (1), 96 (2010)
- T.M. Smeeton, M.J. Kappers, J.S. Barnard, M.E. Vickers, C.J. Humphreys. Appl. Phys. Lett., 83, 5419 (2003)
- Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, М.А. Синицын, Н.А. Черкашин, А.Ф. Цацульников. Тез. докл. 6-й Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы" (СПб., Россия, 2008) с. 65
- W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, M. Yagovkina, P. Brunkov, M. Rozhavskaya, B.Ya. Ber, D.Yu. Kazantsev, A.F. Tsatsulnikov, A.V. Lobanova, R.A. Talalaev. J. Cryst. Growth, 352, 209 (2012)
- M.J. Hytch, E. Snoeck, R. Kilaas. Ultramicroscopy, 74, 131 (1998)
- В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, А.В. Сахаров, С.О. Усов, А.Е. Николаев, Д.В. Давыдов, Н.А. Черкашин, А.Ф. Цацульников. ФТП, 44, 126 (2010)
- С.А. Гуревич, Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, Е.М. Аракчеева, Е.М. Танклевская, А.Л. Закгейм, Е.Д. Васильева, Г.В. Иткинсон. Тез. докл. 2-й Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы" (СПб., Россия, 2003) с. 116.
- V.V. Emtsev, A.G. Kolmakov, A.D. Kryzhanovsky, W.V. Lundin, D.S. Poloskin, V.V. Ratnikov, A.N. Titkov, A.S. Usikov, E.E. Zavarin. Nanotechnology, 12, 471 (2001)
- Б.Я. Бер, Е.В. Богданова, А.А. Грешнов, А.Л. Закгейм, Д.Ю. Казанцев, А.П. Карташова, А.С. Павлюченко, А.Е. Черняков, Е.И. Шабунина, Н.М. Шмидт, Е.Б. Якимов. ФТП, 45, 425 (2011).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
