Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2014, выпуск 1 » Статья стр. 55
<<<>>>
О зависимости эффективности AIIIN светодиодов синего диапазона от структурного совершенства буферных эпитаксиальных слоев GaN
Лундин В.В.1, Николаев А.Е.2,1, Сахаров А.В.2,1, Усов С.О.1, Заварин Е.Е.2,1, Брунков П.Н.2, Яговкина М.А.2, Черкашин Н.А.3, Цацульников А.Ф.2,1
1Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Center for Material Elaboration & Structural Studies (CEMES) of the National Center for Scientific Research (CNRS), Toulouse, France
Поступила в редакцию: 23 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.
PDF версия
Исследованы AIIIN светодиодные структуры синего диапазона с активными областями на основе InGaN-наноостровков. Структуры были выращены методом МОС-гидридной эпитаксии на слоях GaN, выращенных с использованием различных методов начального формирования эпитаксиального слоя. Показано, что благодаря высокой локализации носителей в узкозонных InGaN-наноостровках эффективность электролюминесценции не зависит от плотности дислокаций и кристаллического совершенства материала.
  1. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, Y. Toyoda. Appl. Phys. Lett., 48, 353 (1986)
  2. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh. J. Appl. Phys., 71, 5543 (1992)
  3. H. Amano, M. Iwaya, T. Kashima, M. Katsuragawa, I. Akasaki, J. Han, S. Hearne, J.A. Floro, E. Chanson, J. Figel. Jpn. J. Appl. Phys., 37, L1540 (1998)
  4. K. Pakua, R. Bo'zek, J.M. Baranowski, J. Jasinski, Z. Liliental-Weber. J. Crystal Growth, 267, 1 (2004)
  5. Q. Li, J.J. Figiel, G.T. Wang. Appl. Phys. Lett., 94, 231 105 (2009)
  6. S.D. Lester, F.A. Ponce, M.G. Craford, D.A. Steigerwald. Appl. Phys. Lett., 66 (10), 1249 (1995)
  7. M.F. Schubert, S. Chhajed, J.K. Kim, E.F. Schubert, D.D. Koleske, M.H. Crawford, S.R. Lee, A.J. Fischer, G. Thaler, M.A. Banas. Appl. Phys. Lett., 91, 231 114 (2007)
  8. W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsulnikov, V.M. Ustinov. Semicond. Sci. Technol., 26 (1), 014 039 (2011)
  9. А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, А.Е. Николаев, Н.А. Черкашин, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, М.Н. Мизеров, H.S. Park, M. Hytch, F. Hue. ФТП, 44 (1), 96 (2010)
  10. T.M. Smeeton, M.J. Kappers, J.S. Barnard, M.E. Vickers, C.J. Humphreys. Appl. Phys. Lett., 83, 5419 (2003)
  11. Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, М.А. Синицын, Н.А. Черкашин, А.Ф. Цацульников. Тез. докл. 6-й Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы" (СПб., Россия, 2008) с. 65
  12. W.V. Lundin, A.E. Nikolaev, M. Yagovkina, P. Brunkov, M. Rozhavskaya, B.Ya. Ber, D.Yu. Kazantsev, A.F. Tsatsulnikov, A.V. Lobanova, R.A. Talalaev. J. Cryst. Growth, 352, 209 (2012)
  13. M.J. Hytch, E. Snoeck, R. Kilaas. Ultramicroscopy, 74, 131 (1998)
  14. В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, А.В. Сахаров, С.О. Усов, А.Е. Николаев, Д.В. Давыдов, Н.А. Черкашин, А.Ф. Цацульников. ФТП, 44, 126 (2010)
  15. С.А. Гуревич, Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, Е.М. Аракчеева, Е.М. Танклевская, А.Л. Закгейм, Е.Д. Васильева, Г.В. Иткинсон. Тез. докл. 2-й Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы" (СПб., Россия, 2003) с. 116.
  16. V.V. Emtsev, A.G. Kolmakov, A.D. Kryzhanovsky, W.V. Lundin, D.S. Poloskin, V.V. Ratnikov, A.N. Titkov, A.S. Usikov, E.E. Zavarin. Nanotechnology, 12, 471 (2001)
  17. Б.Я. Бер, Е.В. Богданова, А.А. Грешнов, А.Л. Закгейм, Д.Ю. Казанцев, А.П. Карташова, А.С. Павлюченко, А.Е. Черняков, Е.И. Шабунина, Н.М. Шмидт, Е.Б. Якимов. ФТП, 45, 425 (2011).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme