Энергетические щели в плотности состояний буферного слоя графена на карбиде кремния: учет неоднородности связей слой-подложка
Давыдов С.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) (СПбГЭТУ), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.
В диагональном приближении получены функция Грина и плотность состояний эпитаксиального графена, образованного на поверхности полупроводника. Подробно рассматривается буферный слой графена на карбиде кремния. Предполагается, что в буферном слое имеются два вида состояний, слабо и сильно связанные с субстратом. Показано, что если в плотности состояний буферного слоя имеет место энергетическая щель, то ее существование и ширина определяются состояниями слабой связи графен-подложка.
- A.H. Castro Neto, F. Guinea, N.M.R. Peres, K.S. Novoselov, A.K. Geim. Rev. Mod. Phys., 81 (1), 109 (2008)
- D.R. Cooper, B. D'Anjou, N. Ghattamaneni, B. Harack, M. Hilke, A. Horth, N. Majlis, M. Massicotte, L. Vandsburger, E. Whiteway, V. Yu. arXiv: 1110.6557
- Y.H. Wu, T. Yu, Z.X. Shen. J. Appl. Phys., 108, 071 301 (2010)
- J. Haas, W.A. de Heer, E.H. Conrad. J. Phys.: Condens. Matter, 20, 323 202 (2008)
- Th. Seyller, A. Botswick, K.V. Emtsev, K. Horn, L. Ley, J.L. McChestney, T. Ohta, J.D. Riley, E. Rotenberg, F. Speck. Phys. Status Solidi B, 245 (7), 1436 (2008)
- C. Mathieu, N. Barret, J. Rault, Y.Y. Mi, B. Zhang, W.A. de Heer, C. Berger, F.H. Conrad, O. Renault. arXiv: 1104.1359
- N. Srivastava, G. He, Luxmi, R.M. Feenstra. Phys. Rev. B, 85, 041 404 (2012)
- S. Goler, C. Coletti, V. Pellegrini, K.V. Emtsev, U. Starke, F. Beltram, S. Heun. arXiv: 1111.4918
- T. Jayasekera, S. Xu, K.W. Kim, M.B. Nardelli. Phys. Rev. B, 84, 035 442 (2011)
- I. Deretzis, A. La Magna. arXiv: 1103.0839
- С.Ю. Давыдов. Письма ЖТФ, 37 (10), 64 (2011)
- С.Ю. Давыдов. ФТП, 47 (1), 97 (2012)
- С.Ю. Давыдов. ФТТ, 54 (6), 1619 (2012)
- С.Ю. Давыдов. Письма ЖТФ, 39 (2), 7 (2013)
- F.D.M. Haldane, P.W. Anderson. Phys. Rev. B, 13 (6), 2553 (1976)
- С.Ю. Давыдов. ЖТФ (в печати)
- A. Mattausch, O. Pankratov. Phys. Rev. Lett., 99, 076 802 (2007)
- S. Kim, J. Ihm, H.J. Choi, Y.-W. Son. Phys. Rev. Lett., 100, 176 802 (2008)
- C. Riedl, C. Coletti, T. Iwasaki, A.A. Zakharov, U. Starke. Phys. Rev. Lett., 103, 246 804 (2009)
- J. Soltys, J. Piechota, M. Lopuszynski, S. Krukowski. arXiv: 1002.4717
- O. Pankratov, S. Hensel, M. Bockstedte. arXiv: 1009.2185
- B. Lee, S. Han, Y.-S. Kim. Phys. Rev. B, 81, 075 432 (2010)
- B. Huang, H.J. Xiang, S.-H. Wei. Phys. Rev. B, 83, 161 405(R) (2011)
- F. Speck, J. Jobst, F. From, M. Ostler, D. Waldmann, M. Hundhausen, H.B. Weber, Th. Seyller. arXiv: 1103.3997
- I. Deretzis, A. La Magna. arXiv: 1103.0839
- J. Rohrer, E. Ziambaras, P. Hyldgaard. arXiv: 1102.2111
- C.-H. Hsu, W.-H. Lin, V, Ozolins, F.-C. Chuang. Appl. Phys. Lett., 100, 063 115 (2012)
- P.W. Anderson. Phys. Rev., 124 (1), 41 (1961)
- Ч. Киттель. Квантовая теория твердых тел (М., Наука, 1967)
- П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1969)
- C. Persson, U. Lindefelt. Mater. Sci. Forum, 264-- 268, 275 (1998)
- N.T. Son, W.M. Chen, O. Kordina, A.O. Konstantinov, B. Monemar, E. Janzen, D.M. Hafman, D. Volm, M. Drecksler, R.K. Mever. Appl. Phys. Lett., 66 (9), 1074 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук