"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние спейсер-слоев на вольт-амперную характеристику туннельно-резонансных диодов
Игнатьев А.С.1, Каминский В.Э.1, Копылов В.Б.1, Мокеров В.Г.1, Немцев Г.3.1, Шмелев С.С.1, Шубин В.С.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Выставление онлайн: 19 сентября 1992 г.

Изготовлены туннельно-резонансные диоды со спейсер-слоями и слабо легированным буферным слоем. На измеренных при 77 и 300 K ВАХ получены особенности в области отрицательной дифференциальной проводимости. Показано, что эти особенности связаны с протеканием тока по размерно-квантованным уровням в потенциальной яме спейсер-слоя, а не с самовозбуждением. В результате решения самосогласованной системы уравнений Шредингера и Пуассона получены зависимости глубины потенциальной ямы и уровней энергии в ней от напряжения на диоде и показано, что максимумы тока на ВАХ реализуются при совпадении резонансного уровня с дном зоны проводимости или уровнями размерного квантования.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.