"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
К теории захвата дырок квантовой ямой в полупроводниках типа GaAs
Вергелес М.В.1, Меркулов И.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 19 сентября 1992 г.

Для полупроводников со сложной структурой валентной зоны построено теоретическое описание мелкого уровня в прямоугольной квантовой яме и найдена зависимость его энергии от величины волнового вектора дырки в плоскости ямы. Найдены величина и форма пиков в зависимости вероятности захвата частиц из разных подзон валентной зоны. Показано, что при равновесном распределении носителей между подзонами легких и тяжелых дырок основную роль в захвате играют тяжелые дырки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.