Экспериментально и теоретически исследовано явление самокомпенсации легирующего действия основных используемых примесей (Cl, In, Na, Tl) в узкощелевом твердом растворе Pb_0.8Sn_0.2Te. Для получения максимальной компенсации в шихту образцов введен избыток соответствующей компоненты, облегчающий образование компенсирующих дефектов при температуре отжига (650^oC). В Pb_0.8Sn_0.2Te, легированном донорной примесью Cl ((0.5/2)ат%) и избытком теллура, самокомпенсация настолько сильна, что образцы имеют проводимость p-типа с относительно высокой концентрацией дырок (не ниже 10¹⁹ см^-3), т. е. имеет место "перекомпенсация" доноров вакансиями металла, обусловленная малой энтальпией образования вакансий в металлической подрешетке (H_v~0.3 эВ). При легировании Pb_0.8Sn_0.2Te акцепторными примесями Na или Тl также наблюдается самокомпенсация, однако недостаточная для получения образцов с низкими концентрациями носителей тока и изменения типа проводимости. Высокоомные образцы n- и p-типа проводимости с низкими концентрациями носителей тока были получены при легировании твердого раствора индием. Теоретические расчеты, произведенные с учетом примесного уровня In, расположенного вблизи дна зоны проводимости, показали, что явление самокомпенсации в Pb_0.8Sn_0.2Te<In, Te_изб> выражено относительно слабо, концентрация вакансий в металлической подрешетке увеличивается приблизительно в 2 раза при N_In=1 ат%. Наблюдаемая экспериментальная зависимость разности концентраций электронов и дырок (n-p) от содержания примеси индия в образцах объясняется пиннингом уровня химического потенциала примесными состояниями в сочетании с относительно слабой самокомпенсацией доноров вакансиями.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.