Исследованы характеристики гетероструктур на основе соединений InAs, GaSb, AlSb или их твердых растворов. С использованием многозонного приближения метода эффективной массы найдены выражения для коэффициентов прохождения квазичастиц (электрона или легкой дырки) при их туннелировании в таких структурах. Рассмотрен случай нормального падения электрона или легкой дырки на гетерограницу, когда состояния тяжелой дырки не участвуют в процессе туннелирования. Показано, что эффекты превращения квазичастиц на гетерограницах играют существенную роль в функционировании приборов на основе рассматриваемых материалов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.