Построена и исследована теоретическая модель разогрева электронов в AlGaAs/GaAs селективно легированной гетероструктуре с локализованным проводящим каналом при неравновесности фононов и пространственной развязке ввода и вывода энергии в образце. Показано, что последнее обстоятельство оказывает определяющее влияние на транспортные характеристики электронов в канале при условиях фононного узкого горла.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.