Обнаружены взаимосвязанные эффекты тушения и регенерации фотопроводимости в кремнии n- и p-типа, легированном цинком. Полученные результаты объясняются в рамках модели глубокого дефекта с немонотонной зависимостью константы электрон-колебательного взаимодействия от числа электронов на центре. Показано, что тушение и регенерация фотопроводимости обусловлены долговременными процессами перезарядки двойного акцептора цинка, сопровождающимися его туннелированием между позициями разной симметрии в решетке кремния. Определена роль эффекта Штарка в динамике туннелирования изолированного центра цинка, которая управляет рекомбинацией неравновесных носителей в монокристаллах кремния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.