Рассмотрены спектры отражения и дисперсия поверхностных плазмон-фононных поляритонов сильно легированного арсенида галлия n-типа, подвергнутого бомбардировке компенсирующими ионами O⁺. Путем решения оптимизационной задачи из спектров отражения в принятом одноступенчатом приближении определены параметры имплантированного слоя, обнаружено расхождение полученных значений глубины имплантированного слои с теорией Линдхарда-Шарфа-Шиотта. Достигнуто хорошее соответствие результатов, полученных из спектров внешнего ИК отражения света и дисперсионных зависимостей поверхностных лоляритонов при полной компенсации заряда в имплантированном слое.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.