Получена аналитическая зависимость плотности тока инжекции от температуры для полупроводникового лазера вблизи порога генерации. Показано, что отношение квазиуровня Ферми электронов F_c к температуре T на пороге инверсии, а также на пороге генерации есть величина постоянная. Эта константа определяется только свойствами полупроводника.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.