Исследовано изменение энергии взаимодействия мелких доноров в полупроводнике после осаждения на линии дислокации. Рассчитаны потенциальные кривые для молекул в различных зарядовых состояниях. Показано, что в результате осаждения молекул на дислокациях равновесные расстояния уменьшаются почти в 3 раза, а энергия связи возрастает на порядок. Существование прочных молекул на дислокациях позволяет объяснить их участие в декорировании и закреплении дислокаций в полупроводниках. Зависимость энергии взаимодействия от расстояния между примесями хорошо аппроксимируется потенциалом Морзе. Определены параметры потенциала.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.