"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Разогрев локальных колебаний при безызлучательной рекомбинации и рекомбинационно-стимулированные явления в полупроводниках (о б з о р)
Абакумов В.Н.1, Пахомов А.А.1, Яссиевич И.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Санкт-Петербург
Выставление онлайн: 20 августа 1991 г.

Излагается последовательная теория разогрева локальных колебаний при безызлучательной рекомбинации в полупроводниках. Обсуждаются основные механизмы возбуждения и релаксации локальных колебаний дефектов. Анализируются рекомбинационно-стимулированные реакции в полупроводниках. Теория разогрева локальных колебаний применяется для вычисления скорости рекомбинационно-стимулированных реакций, а также для интерпретации экспериментальных данных по неупругому распылению поверхности твердых тел ионной бомбардировкой и лазерному отжигу в полупроводниках.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.