На примере технологического и радиационного дефектов EL2 и E5 в арсениде галлия показано, что при использовании метода нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней высота барьера Шоттки varphi_B существенно влияет на определение величины энергии активации термоэмиссии электронов и концентрации глубоких центров. Показано, что истинные значения концентрации дефектов и положение их энергетического уровня E_t могут быть получены лишь при условии, что varphi_B>E_t.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.