На основе сильно рассогласованных полупроводников сульфида и теллурида кадмия методом твердофазных реакций замещения получен ряд гетеропереходов с низкой плотностью поверхностных состояний N_s~=3·10¹¹ см^-2. Установлено, что у диодов с шириной барьера d₀=0.3/0.5 прямой ток при низких смещениях обусловлен туннелированием термически возбужденных электронов, а у образцов с d₀=0.5/1.0 мкм - рекомбинацией носителей в области пространственного заряда. При больших прямых смещениях ток носит термоэмиссионный характер. Обратный ток таких структур имеет туннельную природу. У образцов с d₀>~=1 мкм ВАХ определяется токами, ограниченными пространственным зарядом. Структуры обладают эффективностью фотопреобразования 0.7/0.8 эл/кв в спектральной области 1.3/2.3 эВ. Обсуждаются вопросы практического применения исследуемых гетеропереходов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.